脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550~650℃时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600℃时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。     

不同衬底温度下生长的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS研究

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5Zn1.0Nb1.5 O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜,衬底温度在500～ 700℃范围内变化.X射线衍射测量结果表明:当在500℃沉积BZN薄膜时,薄膜呈现出无定形态结构.随着衬底温度增加到550℃,薄膜开始晶化,并且显示出立方焦绿石结构.X射线光电子能谱也被用来研究BZN薄膜的结构状态和元素价态.测试得到的全谱表明:在BZN薄膜中,除了用于定标的C元素之外,只有Bi、Zn、Nb、O元素的特征峰,此外有Ti2p特征峰出现,可能来自底电极的TiO2缓冲层.各元素的窄谱扫描表明:Bi,Zn,Nb,O四种元素的化学价态分别是+3,+2,+5,-2.BZN薄膜在550℃结晶,随着衬底温度升高到600℃,金属阳离子的结合能的峰位向高能方向移动,然而O1s的特征峰位也向高能方向移动,这归因于薄膜中存在的氧空位.     

溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:Ga薄膜,并使用XRD、SEM、UV-VIS和霍尔测试仪等测试手段分析研究了不同功率对ZnO:Ga薄膜的结构以及光学和电学性能的影响。实验结果表明:制备的ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的C轴择优取向;随着溅射功率逐渐从100W增加到175W,玻璃衬底上薄膜的结晶程度越来越高,当溅射功率超过175W时,结晶强度减弱;在可见光范围内,薄膜样品的透过率均达到84%以上,具有良好的透光性能;同时我们发现实验制得的薄膜导电率随着溅射功率的增加而加强。     

BaTiO_3基Y5V型多层陶瓷电容器的介电与储能特性分析

多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础元件,在电子工业中被广泛应用。其中Ba Ti O_3基Y5V型MLCC拥有高的介电性能,好的温度稳定特性,市场需求较大,备受关注。本文以其为研究对象,分析单层厚度超薄的Y5V型Ba Ti O_3基MLCC的介电特性与储能特性,借助于介电频谱和温谱分析其介电极化对外场的响应特点。研究结果表明:Y5V型MLCC的介电常数被直流偏压所抑制,谐振频率随偏压的增加向高频方向移动,其静电储能密度达到了1.76 J/cm~3,储能效率随外电场的增加逐渐降低。     

烷基多糖苷（APG）的分析方法——比色法

本文推荐一种基于与Ａｎｔｈｒｏｎｅ试剂反应的比色法对ＡＰＧ进行分析的方法。校正曲线对于３０μｇ－１５０μｇＡＰＧ／ｍｌ的样品在浓度与吸收值之间显示线性关系，其相对偏差为１％（４８．５μｇＡＰＧ／ｍｌ，ｎ＝６），校正曲线较稳定，并能使用几个月。纤维素衍生物对测定有所干扰，配方中常用的一些物质没有干扰。对市售含ＡＰＧ的配方进行了其浓度测定。     

碳化硅电热元件制备工艺的优化

碳化硅由于它优异的热、机械及电阻率性能而被广泛用于加热元件。通过对SiC电热元件制备工艺的研究和制品性能的测试,找出最佳的素烧温度和最佳素烧填充料,并对比了单热源烧成和多热源烧成的温度场的特点,找出了烧成的最佳温度区域。测试实验产品的导电性能、抗压强度,使用X-射线粉末衍射仪对制品的物相进行分析,使用电子扫描显微镜对制品表面形貌、孔道结构与分布、晶体结构进行分析,确定影响碳化硅电热元件电性能的因素。     

在石墨基体上制备耐磨的SiC镀层研究

在工业冶炼碳化硅(SiC)过程中,在石墨基体上制备具有耐磨特性的SiC镀层。讨论了SiC镀层的形成过程,采用X射线衍射仪(XRD)分析了SiC镀层的物相结构,采用隧道扫描电镜(SEM)分析了镀层的表面形貌。并分析了SiC镀层的硬度和耐磨特性。结果表明:镀层为高温稳定型α-SiC,同时伴有Fe3Si和SiO2杂相出现,SiC镀层的表面硬度达到了1120HV,磨损机制为颗粒磨损,具有较好耐磨性能。     

几种电子陶瓷材料的研究进展与应用前景

电子科学,信息技术发展日新月异,高速奔向集成化和微型化.在电子产品中,元器件是其重要的组件之一.所以对核心元件提出更高的标准:必须具有高速,微型,轻薄,高可靠性等特点.电子元器件的核心技术就是如何利用功能陶瓷材料的电、磁、声、光、力、热等特性.元器件的发展趋势是小型化、片式化、多层化、模块化、集成化和多功能化,以及高性能低花费,方便使用.本文综合介绍了微波介电,铁电压电,磁性以及热释电等新型功能陶瓷材料,同时也介绍了最新的研究进展及可能的应用前景.     

超声波-高锰酸钾耦合工艺对污泥破解效果的研究

采用超声波、超声波-高锰酸钾耦合工艺预处理剩余污泥。通过对比破解前后污泥上清液中混合液挥发性悬浮固体浓度/混合液悬浮固体浓度(MLVSS/MLSS)、污泥体积指数(SVI)、污泥破解率(DD)、溶解性蛋白质质量浓度、溶解性多糖质量浓度、含固率等变化,考察超声波、超声波-高锰酸钾(KMnO_4)耦合工艺对污泥破解以及污泥特性的影响。结果表明,超声波单独处理最佳处理条件为:声能密度为2. 0 k W/L、反应时间为20 min。此时,污泥的DD、蛋白质质量浓度、多糖质量浓度分别可达18. 41%、180. 21 mg/L、185. 88 mg/L,同时污泥破解后含固率可达6. 2%,污泥的离心脱水性能得到改善。KMnO_4-超声耦合工艺可进一步促进剩余污泥破解。破解效果影响因素的主次顺序为声能密度反应时间KMnO4投加量。因此,确定的最佳声能密度为2. 4 kW/L、最佳反应时间为25 min、最佳KMnO_4投加量为2 200 mg/L。此时污泥上清液中蛋白质、多糖的质量浓度分别可达295. 56、361. 27 mg/L;粒径和电镜结果与此匹配。     

Al-Sn共掺杂浓度对ZnO薄膜的结构和光电性能的影响

在石英玻璃衬底上,通过溶胶-凝胶旋涂法制备Al-Sn共掺ZnO薄膜(ASZO)。研究表明,所有ASZO薄膜样品都沿c轴择优取向生长;适当的Al-Sn共掺浓度,可以促进ZnO薄膜结晶,提升薄膜的载流子迁移率,同时还可以观察到ASZO薄膜表面生长出六角柱状结构晶粒。随着Al-Sn元素掺杂浓度的改变,所获薄膜的最高平均光学透过率达到95%以上。由于Al-Sn元素间固溶比不同,适当的掺杂浓度可以提升Al-Sn元素的掺杂效率,提升薄膜内部的载流子浓度,降低薄膜电阻率,得到ASZO薄膜最低电阻率5.7×10~(-2)Ω·cm。