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研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化,表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解,产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行,电子束轰击下(3keV,O.5μA,入射角60°)10s就有元素Al分解出来,2min以后就达到饱和,分解析出量随时间成a(1-e-bt)的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解,但当Ei>3keV时,由于剥离速率加大,溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关(如碳的含量)。最后讨论电子束与离子束的解析机理。 相似文献
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通过检测原子团离于MCs 和MAs-(M是基体元素)对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析,考察了MIQ-156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响,并对正、负SIMS测量方法做出比较。 相似文献
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Ti/AlN快速退火界面反应的实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在电子封装用的AlN陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜,并进行快速退火。用RBS(卢瑟福背散剂)、AES(俄歇有谱)、SIMS(干净人离子质谱)XRD(X射线衍射)等实验技术对界面反应进行了分析研究,用划痕实验测量了退火对Ti/AlN粘附力的影响。实验结果表明:快速退火时,Ti,Al,N以及AlN中掺杂的O均发生明显的界面扩散和界面反应,样品表面的O和AlN衬底中掺杂的O都向Ti膜中扩散,在较低 相似文献
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MCs~ -SIMS技术及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱(SIMS)难以定量分析和解释的主要原因。受其影响,常规SIMS,即M±-SIMS(检测原子型二次离子M+或M-,M是要分析的元素)的适用范围受到了很大的限制。近几年来,上述状况已经通过一种新技术开发得到明显改善,这就是MCS+-SIMS技术,即在CS+一次离子轰击下检测分子型二次离子MCS+而不是M±。由于该技术能明显减小甚至消除基体效应,从而开辟了SIMS定量分析的新途径。在综述MCS+-SIMS技术的由来、发展、特点和应用以及MCS+的生成机理的基础上,介绍了该技术的扩展思路。 相似文献
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将MCs^+--SIMS技术应用扩展到了金属/绝缘体(T i/Al2O3)界面分析。实验表明,选用MCs^+进行分析时,克服了界面效应,取得了较好的组分分布的分析结果。随退火温度升高(室温,300,600,850℃)界面逐渐展宽,说明界面两边存在互扩散或发生了反应,且互扩散随退火温度升高而逐渐加强。随着退火温度升高,AlCs^+的信号逐步进入Ti层相应区域中,并形成两层平台,表明Al逐渐扩散到Ti 相似文献
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介绍了二次离子发射的局部热平衡(LTE)模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用,并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法,取得了较好的结果。 相似文献
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AlN陶瓷衬底的SIMS和XRD测量 总被引:1,自引:0,他引:1
AlN陶瓷中成分与杂质对于AlN的性能具有决定性作用。用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍射(XRD)对清华大学材料系电子封装用的AlN陶瓷进行了研究。SIMS谱表明AlN衬底中除Al,N以外还有C,O,Si,Ca,Y等元素,其中有些是表面污染。衬底的SIMS深度分析表明样品O,Ca,Y信号都很强,且分布均匀,说明样品中含有Y2O3,CaO添加剂。AlN样品的XRD谱与AlN的JCPDS卡片对照,在测量范围内卡片上所有峰均出现,且晶面间距符合很好。在XRD谱上找到了与Y2O3和CaO对应的衍射峰。 相似文献