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1.
采用银镜制备法和激光切割技术获得了纳米银颗粒/聚二甲基硅氧烷剪纸结构薄膜,并系统地研究了薄膜作为柔性应变传感器的力学及压阻特性。将数值模拟与实验相结合,测量了传感薄膜的应变比γ、压阻滞回特性、线性度及压阻敏感性,重点探讨了薄膜制备工艺、结构参数与上述薄膜传感特性的定量关系。结果表明,在给定结构下,结构薄膜整体与结构单元的应变比γ为常数,反映了结构薄膜的变形特性,是理想的力学性能表征参数。菱形剪纸结构薄膜具有量级可达200的大应变比,即在大应变下,材料的实际应变很小。这一特点极大地提升了薄膜的应变测量范围、压阻稳定性、线性度,并保持了合理的压阻灵敏度。  相似文献   
2.
刘百通  王学森 《城市住宅》2021,28(9):203-204
传统顶模棍在现浇混凝土墙体施工过程中需配合附加短钢筋使用,施工繁琐且浪费材料;而螺栓保护及顶模棍一体式装置在使用过程中既可保证墙体截面尺寸,螺栓保护帽又可循环使用,可加快施工进程,节省材料.结合工程实际,阐述螺栓保护及顶模棍一体式装置的结构构造及在施工过程中的使用方法.  相似文献   
3.
刘百通  王学森 《城市住宅》2021,28(9):203-204
传统顶模棍在现浇混凝土墙体施工过程中需配合附加短钢筋使用,施工繁琐且浪费材料;而螺栓保护及顶模棍一体式装置在使用过程中既可保证墙体截面尺寸,螺栓保护帽又可循环使用,可加快施工进程,节省材料.结合工程实际,阐述螺栓保护及顶模棍一体式装置的结构构造及在施工过程中的使用方法.  相似文献   
4.
电缆管道密封材料的研究与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
电缆管道密封材料不仅要求气体漏率小,还应具有放热量低、良好的流动性、强度适中、施工性能便利以及绝缘性等特性.掺加改性抗渗剂和使用严格的气体漏率检测手段,为水泥基材料应用于密封防泄漏工程提供了有力的技术保障.  相似文献   
5.
利用STM和LEED分析了Ge在Si3 N4 /Si(111)和Si3 N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变。在生长早期 ,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并在高温退火时体积增大。当生长继续时 ,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3 N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Ge的 (111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以 (111)方向为主的晶面。相反 ,在非晶的Si3 N4 表面 ,即Si3 N4 /Si(10 0 ) ,Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快 ,最终形成金字塔形的岛结构。对这样的表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释  相似文献   
6.
介绍一种用EPROM和GAL设计的SPWM逆变数字控制电路 ,既可用于单相、亦可用于三相 ,适用范围广 .电路简捷、精度高、速度快、抗干扰能力强 .  相似文献   
7.
利用扫描隧道显微镜(STM)等分析手段,我们对Si(111)在NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究.Si(111)在1075K暴露于NH3后,表现所形成的氮化硅存在周期为1.02nm的(“8/3×8/3”)再构,当温度提高到1125K以上时,表面出现周期为3.07nm的超结构.这两种表面超结构都可以形成“8×8”低能电子衍射花样.系统的研究证明3.07nm超结构是在Si(111)表面形成晶态β-Si3N4薄膜(0001)表面的4×4再构,而1.02nm周期是Si(111)表面未获得有效氮化的一种结构.  相似文献   
8.
1 宜使用超塑化剂和引气剂改善高掺量工业废渣混凝土性能 工业废渣的水化活性一般较低,其临界值在工业废渣-水泥体系中则更低,目前普遍以提高细度的方法来激发工业废渣的水化活性.为了满足混凝土的工作性,必然要增加其需水量,所以在高掺量工业废渣混凝土中引入超塑化剂是十分必要的,能够在保证胶凝材料水化较完全和混凝土工作性的前提下,尽可能减少混凝土的需水量.另外,混凝土中掺入引气剂,在搅拌过程中能够引入大量分布均匀、稳定而封闭的微小气泡.大量微小气泡的存在相对增加了混凝土的体积,可提高混凝土的流动性,还可以改善混凝土的粘聚性和保水性.由于气泡能隔断混凝土的中毛细管通道,对水泥石内水分结冰所产生的水压力有缓冲作用,故能显著提高混凝土的抗渗性和抗冻性.  相似文献   
9.
分析了棉结产生的原因,通过缩短开清棉工艺流程、优选分梳元件、加强设备基础性管理工作,有效控制了CJ 9.7 tex的成纱棉结.  相似文献   
10.
利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构  相似文献   
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