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快速热处理对PZT薄膜的微结构及电性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用改进的溶胶一凝胶技术,在Pt/Ti/TiO2/SiO2/Si(100)基片上制备了太电PZT薄膜,用XRD和AFM技术分析了不同热处理工艺条件下PZT薄膜的微观形貌变化及相结构演化,系统测试了PZT薄膜的铁电性能。工艺-结构-性能研究结果表明:快速热处理工艺(RTA)有利于PZT薄膜保持较低的漏电流密度,热处理温度是影响晶粒大小的主要因素,而保温时间则对PZT薄膜的致密性、晶粒均匀度和晶界结合  相似文献   
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