Al-20Cu-9.6Si-xEr钎料对SiC_p/A356复合材料真空钎焊接头组织与性能的影响EI北大核心CSCD

采用不同铒含量的7组Al-20Cu-9.6Si-xEr钎料分别对SiCp/A356复合材料进行了真空钎焊。利用扫描电镜和能谱分析等方法对接头微观组织进行了观察和分析。通过剪切实验对钎焊接头的抗剪强度进行了测定,并对剪切断口的微观形貌进行了观察。结果表明：添加稀土后,钎焊接头的抗剪强度明显提高。当w（Er）=0%时,钎缝处SiC颗粒聚集严重,接头强度为43.5MPa;当w（Er）=0.05%时,钎缝边界无SiC颗粒的聚集,接头强度最高,达到68.6MPa;当w（Er）=0.1%-0.4%时,钎缝处SiC颗粒聚集趋势减弱,接头强度值在45.3-50.5MPa之间;当w（Er）=0.5%时,SiC颗粒分布在钎缝内部,接头强度明显提高,达到62.2MPa。     

焊后钎剂残渣腐蚀行为分析

采用扫描电子显微镜、电化学工作站等手段对同一型号不同药芯钎料钎剂残渣的腐蚀行为进行了系统研究分析。研究结果表明：钎料和基体在钎剂溶液中均发生了腐蚀,基体的腐蚀速率整体明显高于钎料的腐蚀速率;腐蚀速率随着时间的延长不断降低,但腐蚀并未停止。钎料组织越细,晶界越多,晶界处非规则排列的原子将发生较多腐蚀反应,耐腐蚀性下降。高温加速试验后Fe基体和镀锌层间出现微观裂纹,钎剂中强腐蚀性物质已渗透到界面层;在镀锌层区域,锌元素大量被氧化,形成了ZnO;在残留钎剂层区域,Fe,Zn元素含量较高,耐蚀性较差的Fe元素部分已扩散到残留钎剂层区域,形成铁的氧化物,同时又与NaCl等发生反应,形成FeCl3等物质。 创新点： 探明了钎剂残渣的腐蚀行为,明确其对钎焊接头可靠性的影响程度。     

退火时间对BAg45CuZn钎料组织和性能的影响

以制冷、工具等行业常用钎料BAg45CuZn为对象,分析了退火时间对其组织和性能的影响。结果表明:BAg45CuZn钎料合金主要相组成为Cu(铜固溶体)、Ag(银固溶体)、Ag-Zn、Cu-Zn化合物;在580 ℃保温不同时间,钎料的组成相并未发生变化,而各相的比例和形态发生部分改变;其中以共晶组织尤为明显,随着保温时间的延长,其由细小的共晶组织转变为粗大的共晶组织;共晶组织中Cu-Zn、Ag-Zn化合物的硬度较高,致使整个基体的显微硬度明显提高,脆性增大,钎料加工性能变差;580 ℃保温不同时间钎料流铺性和接头强度均发生明显变化,对钎焊工艺性造成较大影响。     

SiC颗粒增强铝基复合材料的真空钎焊性研究

选用Pb80Sn20钎料,对体积分数20％的SiCP/A356复合材料进行真空钎焊,分析了表面镀镍和不镀镍对其真空钎焊性的影响,并通过金相显微、能谱分析等手段研究了保温时间对其钎焊接头组织的影响.研究结果表明:体积分数20％的SiCdA356复合材料表面不镀镍进行钎焊时,焊接性很差,镀镍后焊接性显著提高;对比6、8和10 min保温时间下钎焊接头硬度,8min保温时间最好.     

Ag颗粒含量对SnAgCu基复合钎料组织及性能的影响

通过向SnAgCu基体钎料中添加Ag颗粒,通过瞬时液相连接来实现低温连接、高温服役的目的。结果表明:随着Ag含量的增加,复合钎料的铺展面积越来越小,润湿性越来越差,但25%Ag含量试样的润湿角为5°依然满足服役需求;随着Ag含量的增加,金属间化合物层整体厚度增加,力学性能越来越差;随着Ag含量的增加,耐高温服役能力得到提高,Ag含量为25%的试样可在高于基体温度83℃的高温下服役15天未断裂,300℃高温下服役15天后,抗拉强度为25.74 MPa,达到低温时效、高温服役的目的。     

SiC颗粒增强铝基复合材料钎焊技术的研究进展

本文概括了SiC颗粒增强铝基复合材料的特性以及真空钎焊技术的研究现状,着重介绍了铝基复合材料真空钎焊技术的研究进展.从复合材料自身的特点、钎料成分设计、润湿机理及钎焊工艺参数等方面分析了SiC颗粒增强铝基复合材料真空钎焊存在的问题,针对性地提出了相应的解决思路和设计方案.     

保温时间对低体积分数SiCp/A356复合材料真空钎焊影响

在真空度为10-3 Pa、加热速率为20 ℃/min、加热温度为565℃的条件下,使用Al-5 Si-28Cu-Zn-Ti钎料,采用不同保温时间分别对体积分数20％的SiCP/A356复合材料进行真空钎焊,测定了钎焊接头的抗剪切强度以及接头显微硬度,分析了不同保温时间对钎焊接头性能的影响.结果表明,接头抗剪强度和焊缝硬度均随保温时间的延长先增加后减小.当保温时间25 min时,钎焊接头抗剪强度最大,为28.35 MPa,此时,焊缝硬度最高,为127.2HV.对比不同保温时间下钎焊接头综合性能,25 min保温时间最好.     

纳米银焊膏的研究进展

近些年来,随着5G、人工智能等电子科学技术的进步,半导体器件不断向智能化、高精密、高集成、高可靠方向发展.以航空航天以及雷达的微波射频器件、通信网络基站、大型服务器以及新能源汽车电源模块为代表的半导体器件对半导体器件连接钎料导热性能、可靠性提出了更高的要求.纳米银焊膏由于其低温连接、高温服役性能得到了国内外广泛关注.本文对纳米银焊膏制备烧结机理及烧结性能等方面进行综述,以期推动对纳米银焊膏的研究.     

熔断器用银带变色初步分析

纯银熔体材料极易变色,采用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)等手段对银带变色状况和变色的机理进行了初步分析。结果表明,大气条件下退火会在银带表面形成一层白雾,其主要为Ag_2O;晶界处生成的一些不连续的黑色点状相,其主要成分为Ag、C和O;银带在大气条件长时间放置时,其表面将失去金属光泽,变成灰色,局部地区有黑斑散布,且斑点的分布离散,无明显的生长特点;银带加工过程中极易在其表面残留的C、Cu、Fe、Na、Mg等元素并非引起银币变色的主要因素;银带易与空气中的硫化氢、二氧化硫等发生反应,对银带产生腐蚀,致使银带变色,其腐蚀产物主要有Ag_2S、Ag_2SO_3、Ag_2O。     

SiO2/TC4钎焊接头的组织性能

以Mo片为缓冲层，采用AgCuTi钎料对石英玻璃与TC4钛合金进行钎焊，以实现调控石英玻璃与TC4之间热膨胀系数的差异，降低钎缝中石英玻璃侧的应力；分析了Mo缓冲层对钎焊接头应力缓解及组织性能的影响。结果表明：Mo缓冲层的加入可以调控石英玻璃与TC4之间热膨胀系数的差异，把钎缝中石英玻璃侧的应力转移至Mo缓冲层处，减小石英玻璃侧所受应力，提高了钎焊接头的性能；同时通过Mo缓冲层的加入，可阻隔TC4母材中溶解的Ti元素向石英玻璃侧的扩散，减弱石英玻璃侧的反应，降低靠近石英玻璃侧的薄反应层厚度。当钎焊温度为900℃,保温时间10 min时，添加Mo缓冲层的钎焊接头的抗剪强度最高，达到37 MPa。