新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.     

空心球节点加肋板的实验应力分析

网架结构中球节点的静力实验研究国内几家曾做过大量工作，提出经验计算公式，但对空心球加单肋板，对提高承载能力，降低应力水平的有关报导较少，本文重点研究了直径为５００ｍｍ壁厚为２０ｍｍ的加肋板与不加肋板两种球，在拉，压受力状态下的应力变化规律，同时对肋板上的应力变化进行了测试，利用电测应力分析的方法进行了实验研究与分析，实验模型，采用首都机场四机位工程所用球节点。     

中压级断路器选择的探讨

着重介绍了现在我国使用量大面广的几种断路器的特点以及在选择中应考虑的问题。供大家在选型时参考。     

Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3陶瓷的介电和压电性能研究

研究了Na0.5Bi0.5TiO3和（Na0.5Bi0.5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷的电滞回线，压电性能和热滞现象。得到（Na0.5Bi0.5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷的剩余极化Pr=19μC/cm^2，矫顽场Ec=4.7kV/mm.发现有适量的Ba^2 取代（Na0.5Bi0.5)^2 尽管压电性能有所提高，但同时使得材料的温度稳定性大大降低。     

背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。     

新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200～800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。     

对摄影物镜分辨率的研究分析

摄影物镜的分辨率是物镜的基本性能中的一项,因为它关系到对图像信息传递的质量。采用哪种方法进行评价才是合理可行,倍受关注。本文在简述了几种常用方法后,提出了用光学传递函数来评价的方法,特别是在目前情况下,如何用传递函数的概念对数码照相机整机分辨率进行测试,提出了一个简单可行的方法。     

铽改性铌酸锶钡晶体的介电性和热电性

用铽改性SBN晶体能有效地改善晶体的性质。实验测量了铽改性Sr0.61Ba0.39Nb2O6晶体的电容率和热电系数。实部ε‘rl和虚部ε“rl分别在100K和55K附近有峰。电容率的温度系数TCεr3和TCεrl在55K附近都峰化。在90K以下,检测出[100]方向存在热电性。这些实验结果证明,该晶体存在低温铁电－铁电相变。     

锰掺杂(Bi0.5 Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷的热释电性

研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备的锰掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3系陶瓷的热释电性能。研究发现,该系列材料具有优良的热释电性,适量锰的掺杂可有效降低材料的介电常数和介电损耗,从而进一步提高材料的热释电电压响应优值和热释电探测优值。对于Sol-Gel工艺制备的(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 x%Mn(x=0~0.4,质量分数)陶瓷,x=0.1~0.2范围内材料的热释电性能较好,主要的热释电参数:热释电系数p≈3.1×10-4~3.9×10-4Cm-2K-1,电压响应优值FV≈1.9×10-13~2.0×10-13Cm/J,探测优值FD≈3.3×10-11~3.8×10-11Cm/J。     

浅谈提高数码照相机成像质量的途径

影响数码照相机成像质量的因素有很多,本文在简单叙述了图像传感器传递图像信息过程后,从光学角度分析对数码照相机物镜的要求,提出了一种与图像传感器特点相适应的光学设计方法,提出对设计和制造过程中的杂光问题的探讨。