中性银粒子和银离子在Si(111)上沉积过程的AES研究

无论是蒸发沉积、离子溅射沉积、离子束沉积还是其它类型的沉积,所沉积的薄膜的微观结构、薄膜与衬底间的界面性质与沉积粒子的性质、能量等因素密切相关。本工作利用俄歇电子能谱仪(AES)所测得的俄歇信号时间曲线(AST),俄歇的价带电子跃迁(AVV)图以及俄歇信号相对强度与沉积厚度的相互关系曲线研究和分析银蒸发束(原子、分子、原子团束)、低能(22eV)和较高能(320eV)Ag~+束在室温Si(111)衬底表面上的沉积过程和可能发生的界面反应。实验结果表明:(1) 蒸发沉积时,银在衬底表面上首先是形成均匀的原子层,接着聚集成为小岛,随后才形成为完整的薄膜;(2) 低能(22eV)Ag~+束沉积时,薄膜为均匀的层状结构,也就是说,薄膜的生长方式是以层层生长方式进行的,衬底与薄膜间的界面在所讨论的1nm范围内是未反应的;(3) 高能(320eV)Ag~+束沉积时,在沉积的初始阶段,界面上会发生严重的混杂效应,以致于形成一种银和硅的混合相结构,在此之后,界面混杂才慢慢停止,形成完整的Ag薄膜。     

热阴极非均匀性发射测量系统数据处理软件的应用

本文简要介绍了我国首台自行设计制造的阴极微区非均匀发射自动测量系统和测量数据处理软件,以研究钡钨阴极在支取不同发射电流密度下发射电流的非均匀性为例,给出一些实验结果。     

单晶和多晶LaB6阴极发射性能的实验研究

讨论了由国内外3个不同来源的六硼化镧（LaB6)制成的阴极的发射性能，用标号1^#,2^#,3^#表示，其中1^#是LaB6单晶阴极，2^#,3^#分别是国外和国产的多晶阴极。实验主要测试了它们的发射特性，并作了简单分析，同时运用扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针，X射线晶格衍射分析等手段对LaB6材料进行了分析，比较了LaB6材料质量与发射性能的关系。文中还对部分阴极电子学的重要结信纸及典型数据处理方法作了补充。     

离子束表面处理抑制空间行波管多级降压收集级二次电子发射的研究

设计了一台抑制空间行波管多级降压收集极二次电子发射的、专用离子束处理设备.研究了Mo 原子沉积速率对二次电子发射系数和表面织构的影响.无氧铜片基底上的试验结果表明,二次电子发射系数与Mo原子的沉积速率和表面织构密切相关.处理过程中基底温度起着重要作用.采用优化工艺得到的二次电子发射系数最大值下降到0.65,低于未经处理无氧铜基片的一半.初步试验表明,采用离子处理的多级降压收集极后,K和Ka 波段的行波管的整管效率获得明显提高.     

场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。     

稀土-钼次级发射体发射性能的研究

阐述了液 固掺杂法制备的稀土 钼烧结体的次级发射性能及其在磁控管中应用的可能性。实验结果表明 ,在钼中添加稀土氧化物可以提高发射体的次级发射性能。经过高温激活处理 (激活温度≥ 14 0 0℃ )的稀土 钼烧结体 ,最大次级发射系数δmax大于 3 0。随着稀土添加量的增加 ,材料的次级发射系数增大。该发射体在电子束轰击下经过数百小时的寿命实验后 ,其次级发射系数仍在 2 5以上 ,显示了良好的抗电子轰击性能。发射体也具有一定的热发射能力。暴露大气后再加热时 ,次级发射和热发射均可恢复。研究认为 ,该发射体已能满足磁控管的应用要求。     

碳纳米管场发射特性的研究

将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上 ,测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。同时还将其与纯钼针在场发射方面进行了比较     

实用Cu-Al-Mg合金次级电子发射体的表面研究

一、引言随着电子技术的发展,次级电子发射现象已经广泛地应用到各个领域中(如光电倍增管,电子倍增器,磁控管,正交场放大器,图像增强器等等),因而引起了很多学者的极大兴趣,并且进行了大量的研究工作。本文所研究的Cu-Al-Mg合金型次级电子发射体是用于正交场放     

热阴极表面发射均匀性研究

为探测热阴极发射的非均匀性,并探索发射不均匀现象与阴极表面成份分布之间的关系,通过计算和实验,建立了阳极小孔扫描法,获得了阴极发射分布状况的信息。在自行研制的俄歇电子能谱仪分析室内“原位”进行了发射分布与成份分布的对照测量分析。观察到由于阴极制备及工艺处理所造成的发射非均匀分布及其与Ba、O在W表面覆盖的程度和Ba、O结合状况的对应关系。发现并解释了由于阴极表面不恰当工艺处理造成残余浸渍物堆积而引起局部发射降低的现象。