一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路，该电路采用工作在亚阈值区的电路结构，并采用高增益反馈回路，使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。     

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

一种升压式PFM DC-DC转换器的设计

讨论了一种PFM升压式DC－DC电压转称器的设计，重点对其关键的基准电压产生，振荡控制信号产生及比较器设计进行了分析，并采用3μmCOMOS工艺完成芯片的设计。     

MLS结构的电容-电压特性

本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。     

C波段单片低功耗低噪声放大器

报道了一种新型的C波段 0 .5μmPHEMT单片低功耗低噪声放大器。该放大器由三级级联构成 ,采用电流回收技术 ,实现了低功耗的目的。芯片面积为 2 .1× 1 .8mm2 ,直流功耗为 1 2 5mW (VD=5V ,ID≤ 2 5mA)。封装后测试结果为 :在C波段 ,带宽 1 .1GHz,增益 >2 5 .7dB ,增益平坦度≤± 0 .6dB ,噪声系数≤ 1 .72dB ,输入、输出电压驻波 <2∶1 ;带内最小噪声系数为 1 .61dB ,相关增益为 2 6 .3dB。测量结果与设计符合得较好。     

MOS集成电路及其发展状况

一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早（双极晶体管于四十年代末出现）,大约在二十年代后期,人们就发现了“场效应”,并在三十年代初期出现了应用场效应原理工作的原始的场效应器件。     

一种适用于VLSIMOS器件的阈电压模型

随着大规模集成电路的发展,已经提出了多种MOS器件阈电压模型.然而,由于该种器件沟道区往往有离子注入,通常采用某些近似来模拟掺杂分布,这样得到的阈电压表示比较粗糙,且不太实用.为解决这一问题,本文提出了等效浓度的概念以及计算方法,在此基础上得到了一种新的阈电压模型,并指出了具体确定阈电压的步骤,数值结果与两维模拟基本一致.该方法与通常方法相比具有简单实用的特点.     

锂电池管理芯片的过流保护功能设计及实现

针对锂电池应用特点,设计了用于电池管理芯片的过流保护功能模块.电路采用0.6(m N衬底双阱CMOS工艺实现.HSPICE后仿真结果表明,该模块不仅能对锂电池放电过程实现三级过流检测和保护,还能对充电过程中的过流进行有效管理.通过功耗管理和采用基于亚阈值MOS管的电路,模块消耗电流仅为1.2(A,能充分满足较复杂的电池管理芯片的需要.     

液晶显示多行扫描驱动芯片设计

多行扫描驱动方式具备低功耗、高对比度、响应速度快、串扰少、制造成本低和宽温度范围等优点 ,可大幅提高无源驱动的显示质量。文中采用 Hadmoard矩阵作为基本正交函数 ,设计了 4行驱动多行扫描芯片的系统结构 ,并采用动态 CMOS逻辑阵列结构设计了列驱动芯片中的关键电路 -码转换模块。结合 UMC0 .6μm工艺模拟验证后的结果显示 ,该模块 5V下的延迟时间为 11ns,最大工作频率可超过 2 0 MHz,功能和参数性能均符合实际设计和应用要求