ZFL018型高压单晶炉及GaP单晶拉制

GaP是日益广泛应用的发光材料,大量用于制备发光二极管(LED)。GaP中掺入不同杂质可分别发射红、绿、黄、橙四色光。LED具有功耗低(mW级)、寿命长(10~5～10~9小时)、可靠性高、响应速度快(10~(-6)～10~(-9)秒)的特点故适用于高速显示;且LED的单色性好,体积小,所以广泛适用于计算机及各种仪器仪表的指示灯、数字、文字、符号、图象的显示。在光电子学及信息处理技术中起着重要作用。     

Φ50毫米〈1O0〉不掺杂高纯半绝缘砷化镓单晶

我们采用高压液封原位合成直拉法(简称 HPDSLEC 法),在热解氮化硼坩埚或石英坩埚里生长不掺杂〈100〉砷化镓单晶。单晶直径φ30～50毫米,重量750克,成晶率80%。我们对不同熔体组分(指熔体中砷原子分数)生长的单晶用火花源质谱法,局域振动模远红外光吸收法,热激电流谱法,     

国产ZFL018型高压单晶炉及液体复盖直拉法生长GaP单晶

介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉膛采用螺帽连接既使受力均匀,开启也较方便;上下轴均有压力补偿,采用“O”形密封,运转比较灵活;可用热偶取出信号进行控温等。用液体复盖直拉法(LEC法)在该单晶炉内进行了GaP单晶生长实验,采用电阻加热方式,在我国首次拉制出了适于绿色(黄、红)发光二极管衬底的掺Te的GaP单晶。详细介绍了所用热场配置、掺杂计算,工艺     

n型〈100〉掺硫GaP单晶研制

近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。     

化合物半导体材料的光电应用现状

在整个化合物半导体工业中，光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景。量子结构光电器件由于具有一系列独特性能，将越来越受到重视。