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1 IntroductionThesubsurfacelayerpropertyofGaAssubstrateisofgreatinfluenceontheperfor manceofdirectionimplantationde vices[1 ].Severalmethodshavebeendevel opedtoinvestigatethelatticeperfectioninthesubsurfacelayer ,suchasTEMobserva tionandX rayrockingcurveana… 相似文献
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垂直凝固法(VF)生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅(北京有色金属研究总院100088)关键词:垂直凝固法(VF)砷化镓(一)引言砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需求不断推动着单晶生长技术的发展。而... 相似文献
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