光纤入侵信号检测及识别算法的嵌入式实现

提出了一种光纤入侵信号检测及识别算法,并根据 算法的处理时间及运算特点分解映射在现场 可编程逻辑门阵列(FPGA)和数字信号处理(DSP)组成的嵌入式处理器上进行实现。处理 流程分为3部分:首先对原始信号进行3Hz高通滤波,将经过高通滤波后的信号平均分成两部分分别由 两块DSP板并行处理以节省时间开销,且后续所有操作均采用并行方式,将滤波后数据进行 标准化并与检测阈值进 行比较,大于阈值则判为振动并置1,否则置0,从而得到单路检测结果;然后根据上述检测 结果提取用于 识别的数据;最后将数据输入识别模块进行机械、走路和镐刨信号的特征提取并得出识别结 果。实验结果表明, 本文算法可以有效检测和识别光纤入侵信号,且提高了运算速度,满足了光纤预警系统(OFPS )对检测及识别信号类型的实时性要求。     

放电等离子烧结制备超细晶粒W-TiC复合材料

采用机械合金化和放电等离子烧结(SPS)技术制备了纳米TiC颗粒弥散增强超细晶W-TiC复合材料,对超细晶W-TiC复合材料的显微组织和室温力学性能进行了研究。研究表明,采用SPS工艺于1700℃下烧结1min可获得烧结颗粒结合良好,致密度高达约98.6%的超细晶W-TiC复合材料。通过添加纳米TiC,不仅能抑制W晶粒的长大,还能促进W的致密化。当TiC的加入量为0.7%时(质量分数,下同)可获得晶粒尺寸为0.5μm,抗弯强度和维氏硬度分别为1262MPa,6.45GPa的超细晶W-TiC复合材料。     

氧化钇弥散强化钨基复合材料的制备及其性能评价

采用高能球磨、通氢烧结和后期热轧处理制备了W-0.5%Y2O3-1%Ti复合材料,对加工变形处理前后的W-0.5%Y2O3-1%Ti的显微组织结构和室温力学性能进行了研究。研究分析表明,采用高能球磨,可使Y2O3和Ti固溶到W中,在高温烧结的过程中,Y2O3和Ti以Y-Ti-O化合物和Ti的形式从钨基体中析出来,弥散分布在钨晶粒的晶界及其晶内。经在1 500℃左右热加工变形处理后,W-0.5%Y2O3-1%Ti的致密度显著提高,与此同时大量体积分数的穿晶断裂赋予了W-0.5%Y2O3-1%Ti复合材料较高的力学性能。实验结果表明经热轧后W-0.5%Y2O3-1%Ti的致密度、抗弯强度、维氏硬度分别可达96.7%,788.0 MPa和HV432.8。     

超细晶钨及其复合材料的研究现状

综述了自上而下和自下而上两种方法制备超细晶钨块体材料的研究现状.详尽概述了强塑性变形工艺、特殊烧结工艺制备超细晶钨的基本原理和特点.分析讨论了在强塑性变形加工及其粉末冶金法制备超细晶钨的影响因素及晶粒细化机制,指出了合理地采用弥散强化相,结合特殊烧结工艺和后期热变形加工工艺将是制备超细晶钨发展的主要方向.     

钎焊温度和热处理对钨铜连接性能的影响

采用厚20 μm的非晶态Ti-Zr-Ni-Cu钎料,真空钎焊连接用于聚变堆面向等离子体部件的钨和铜铬锆合金,钎焊温度分别为860、880和900℃,对880℃下的钎焊样品进行热等静压(HIP)处理.采用SEM和EDS分析连接接头的形貌和成分,用静载剪切法测量焊接接头强度.测试结果表明在860～880℃下钎焊10 min能够获得较好的连接界面,经880℃钎焊后焊接接头的剪切强度为16.57 MPa,880℃钎焊后HIP处理的试样界面结合强度提高至142.73 MPa,说明真空钎焊后HIP处理可以显著改善接头的结合强度.     

强流脉冲离子束作用下超细晶钨的抗瞬态热负荷性能评价(英文)

采用高能球磨和放电等离子体烧结技术制备纯钨、氧化物弥散强化钨和碳化物弥散强化钨。为了评价钨在瞬态热冲击下的性能,采用强流脉冲离子束,在热流密度高达160MW/(m2·s-1/2)的条件下对4种不同晶粒尺寸的钨进行抗热冲击试验。与商品钨相比,弥散强化钨在瞬态高热流作用下显现出不同的行为。氧化物弥散强化钨显现出较差的抗热冲击性能,这主要是由于低熔点的第二相Ti和Y2O3的引入,从而使得钨的表面发生熔融、起泡和开裂。而碳化物弥散强化钨合金则显现出较好的抗热冲击性能。     

环境质量约束下的中国能源需求量研究

本文通过建立向量自回归(VAR)模型,研究了经济增长、环境质量和能源消费三者之间的长期均衡关系,并对未来五年的二氧化碳排放量、能源消费量和GDP进行了动态预测。建立了经济发展的能源需求模型和环境约束下的能源消费模型,得出经济产出、能源消费及能源强度三个变量之间及二氧化碳排放量、能源消费及碳强度三个变量之间的长期均衡关系,在此基础上预测未来五年我国能源最优消费量数据。