导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．     

氰化物镀锌氰、锌、碱比值的探讨

1　引　言前不久 ,有几家较大电镀厂 ,几十吨氰化镀锌槽液相继出现故障 ,被迫停产调槽 ,经了解 ,各厂持有各厂的操作工艺规范 ,全是依据销售光亮剂厂商所提供的 ,一厂一样 ,各持己见。鉴于以上状况 ,我厂技术部科研人员 ,收集国内大量有关氰化镀锌史以来的文献资料 ,反复研讨、反复试验 ,最终得出较为权威的结论 :“氰、锌、碱比值”不合理。针对这一没有先例解释的难题 ,经过反复探讨、论证 ,现向国内电镀界同仁介绍碱性镀锌各体系中锌的含量范围图 ,碱性镀锌锌、碱、氰比值控制图 ,以供生产控制参考。2　锌、碱、氰比值的确定(1)氢氧化钠…     

激光诱导击穿光谱法分析精度提高的研究

信号波动严重、强烈的连续发射干扰复杂光谱、激光能量波动、重复性差等影响激光诱导击穿光谱法（Laser Induced Breakdown Spectrometry,简称LIBS）的分析精度。本文在自主研制的激光光谱仪上,通过采用激光光束调整技术兼顾空间分辨率和数据稳定性,门控积分技术提高LIBS的分析灵敏度和检测下限,数据筛选技术提高数据的可靠性等手段提高了LIBS的分析精度。对一中低合金钢中的C、Si、Mn、P、S、B、Mo、Ni、Cr、V、Cu、Ti、Al、W、Fe 等15个元素进行LIBS测定,测定结果的相对标准偏差除P和B外,其他元素均小于10%,分析精度高于文献报道的LIBS。     

短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响

利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷,得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ,同时给出了其俘获截面和缺陷密度,初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷。根据深能级的有关参数,估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ。     

电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移

本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性,提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析,验证了这一方法的可靠性     

快速傅里叶变换深能级瞬态谱测试系统

提出了一套快速傅里叶变换深能级瞬态谱（FFT-DLTS）测试系统,分析了该系统的硬件构成和软件流程,并给出了一个实例分析。最后,将FFT-DLTS与常规DLTS作了对比。     

同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率,结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论,可以认为Ｉｎ２Ｏ３－ｘ与Ｓｎ３Ｏ４的含量变化是影响ＩＴＯ的导电与透光性能的主要原因