SHS法工艺参数对NiZn铁氧体预烧料结构的影响

本文以还原铁粉、NiO、ZnO及Fe2O3为原料，利用自蔓延高温合成（SHS）法制备NiZnFe2O4预烧料，并且利用XRD图谱，Vegard定律等分析了产物结构。分析结果表明：SHS法可以制备纯度很高的NiZnFe2O4预烧料。试验发现，保温时间及粉料压坯密度均对SHS法制备的NiZnFe2O4预烧料的结构有一定的影响：随着保温时问的延长，产物的纯度提高，同时固溶体中的组元配比更接近配方比例；当粉料压坯相对密度为63％左右时，固溶体中的组元配比可达到配方比例。     

近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.     

过渡金属Cr掺杂对金红石光性影响的研究

报道了采用高温扩散掺杂敏化法在金红石晶体表面掺入Cr离子、有效提高可见光响应的研究结果,分别利用UV－VIS、XFA、XRD和LRS等测试手段对样品进行了分析。结果表明Cr离子掺入晶体表面后以Cr2O3的形式与基体TiO2形成固溶体Cr2TiO5,提高了可见波段的光吸收,使原来位于410nm的TiO2的吸收边移到了750nm处,实现了与太阳光谱的匹配。     

单晶硅衬底材料中的消光衍射

在经典衍射理论中,Si(200),Si(222)等4n+2面的反射是消光的,但在单晶硅或硅基材料中,常发现Si(200),Si(222)的衍射.考虑非谐效应和电子云反对称分布的贡献,分别计算了Si(200),Si(222)消光衍射的相对强度,并用XRD测试手段进行了验证.结果表明,理论与实验值基本符合.在室温下,Si(200),Si(222)衍射主要是因为反对称的电子云分布所致.同时,强调了Si(200),Si(222)衍射在XRD分析中的应用.     

PPS/PA-66共混物结构与性能的研究

用Ｘ射线衍射、ＳＥＭ和ＦＴ－ＩＲ研究了ＰＰＳ／ＰＡ－６６共混物的聚集态结构、相形态和共混体系分子间的相互作用。结果表明，随着ＰＡ－６６含量增大，共混物的结晶性更好；ＰＰＳ／ＰＡ－６６共混体系属于多相体系，含微量支化或交联键的ＰＰＳ占５０％时，为分散相，ＰＡ－６６占７５％时，ＰＰＳ成为连续相；随着ＰＡ－６６含量增加，ＰＰＳ的苯环Ｃ－Ｈ振动７０５ｃｍ－１峰位向低波数移动，随ＰＰＳ含量增加，ＰＡ－６６中酰胺的Ｃ＝Ｏ１６３９ｃｍ－１峰位向低波数移动，酰胺基团与苯环上的Ｃ－Ｈ存在氢键相互作用。熔融流动性、流变性和冲击性能试验证明，共混物有良好的熔融流动性和韧性。     

过渡金属Cr掺杂对金红石光性影响的研究

报道了采用高温扩散掺杂敏化法在金红石晶体表面掺入Cr离子、有效提高可见光响应的研究结果.分别利用UV-VIS、XFA、XRD和LRS等测试手段对样品进行了分析.结果表明Cr离子掺入晶体表面后以Cr     

溶胶-凝胶技术制备(Bi4-x,Lax)Ti3O12陶瓷的工艺技术研究

采用3种溶胶－凝胶（sol-gel）工艺，以硝酸铋、硝酸镧和钛酸丁酯为原料，制备掺镧钛酸铋（Bi4-x,Lax)Ti3O12（简记为BLT）陶瓷。通过控制溶胶－凝胶工艺，分析比较不同溶胶－凝胶过程对陶瓷结构的影响，为后续BLT铁电薄膜的溶胶－凝胶制备选择最佳工艺技术条件。研究发现采用滴定方式的sol-gel工艺制备的陶瓷具有较好的取向和结构。     

人工金红石单晶体中包裹体结构分析

采用焰熔法生长金红石单晶体时,有时发现在晶体中部生长有透明、半透明间杂的包裹体,且包裹体中有平行条纹．利用ＳＥＭ和ＸＲＤ对其（１１０）面分析研究发现,包裹体是由基本为（１１０）面取向的小晶体构成的多晶体,有的小晶体受到张应力作用,有的受到压应力作用;包裹体（１１０）面中的平行条纹为晶体的层错线或晶界,取向为［００１］,它形成于热应力造成的沿（１１０）面的解理．     

(Pb_(0.9-x)La_(0.1)Ca_x)TiO_3纳米微粉的拉曼谱分析

利用溶胶-凝胶法(sol-gel)合成制备了PbTiO3、(Pb0．9-xLa0．1Cax)TiO3[简写为PLCT(100x)]纳米微粉，微粉平均粒径为20-40nm．利用拉曼散射和X射线衍射技术研究了不同Ca含量对PLCT(100x)纳米微粉的结构的影响．实验结果表明，PLCT(100x)纳米微粉的结构随x变化，亦即PLCT(100x)的轴比随x的增大反而减小，研究结果表明：PLCT(100x)拉曼谱的低频模可以看成是由于钙钛矿结构中A位离子Ca2 、La3 的偏离引起的，而高频模主要是TiO6八面体内部原子的相互运动造成相对位置变化，从而使八面体发生形变引起的．     

近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.