厚膜永磁阵列微致动器的磁路研究

研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布，并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响。结果表明，厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大磁徕单元高宽比为0．7是一个比较合适的尺寸。     

氦原子被稀有气体原子弹性散射微分截面的理论计算

在计算了稀有气体原子间相互作用势的基础上,我们又系统计算了氦原子被稀有气体原子弹性碰撞的微分截面。本文计算的He-Ne,He-Ar,He-Kr,He-Xe系统的微分截面与Chen等人的实验结果符合得较好,这就证明了Tang-Toennies势较准确反映了原子间的相互作用。     

氢原子在氢气中的扩散系数和粘滞系数的理论计算

本文应用 Tang—Toennies 势模型计算了 H—H_2相互作用势,并在此基础上用物理力学方法计算了氢原子在氢分子中的扩散系数和粘滞系数.所得结果与实验值极其它理论相比较,更接近于实验值。最后从原子与分子物理学的观点出发,对其结果提出理论解释.     

伪邻近点法分析薄膜磁致伸缩测试中异常数据

采用伪邻近点法，对薄膜磁致伸缩系数测试试验中得到的不同性质的测试数据分别进行处理，发现它们具有确定性的特征，从而可得测试中异常状态基本由系统本身引起，这样通过调节及改进测试系统就能减小其影响，得到较为可靠的光点位移数据。     

Nd-Fe-B永磁材料氢脆机理与阻氢涂层研究

本文利用三维 Mobius反演变换得到了金属 Nd原子间的相互作用势和 H原子间的相互作用势 ,利用组合规则得到了 Nd- H原子间的相互作用势 ,进而利用正则系统分子动力学算法研究了在一定加载应力强度因子下氢在 Nd晶体中的行为 ,模拟结果表明 ,H在 Nd晶体裂尖富集成许多氢原子团簇或氢气团簇 ,这在一定程度上解释了 Nd- Fe- B磁体中的氢爆现象 ,进而为 Nd- Fe- B阻氢涂层工艺提供理论参考 ,达到在原子分子水平上设计新型阻氢涂层的目的。对 Nd- Fe- B阻氢涂层的制备进行了实验研究 ,利用厚膜烧结方法在 Nd- Fe- B磁体表面涂覆银及高分子聚合物涂层 ,高压充氢实验结果表明 ,在 10 MPa、2 5℃的氢环境中 ,磁体充氢 178分钟未粉碎 ,最长可达2 88分钟 ,充氢后的磁体磁性能没有变化。另外 ,对 γ-辐照前后涂覆涂层的磁体进行了磁性能、充氢及尺寸测试 ,实验结果表明 ,涂覆涂层的磁体 γ-辐照前后磁性能、阻氢性能及磁体尺寸没有变化     

基于材料力学的磁致伸缩薄膜悬臂梁挠度分析

采用材料力学法对磁致伸缩薄膜两层悬臂梁挠度与薄膜磁致伸缩系数的关系进行了分析，所得结果与采用能量最小化和有限元法导出的结果完全一致，并将其扩展到多层悬臂梁的情形，得到了一个简洁的表达式。     

NdCl3镀液浓度对电镀CoNdNiMnP永磁薄膜阵列磁性能的影响

基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明室温下,在电流密度为5mA/cm2时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl3浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl3浓度增加到0.25×103g/cm3时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl3浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.     

Ta/Ta2O5/Cu结构制备及应用性能研究

介绍了以Ta/Ta₂O₅/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta₂O₅薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta₂O₅/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明：不同镀铜方式制备的Ta/Ta₂O₅/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta₂O₅介质层中,进而导致Ta₂O₅的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。     

Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究

Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体中的畴壁钉扎研究一直是磁学领域中的关注点.本文首先建立了Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学模型,然后利用微磁学计算了胞壁相的物理参数对畴壁钉扎的影响.计算结果表明,只有合适的胞壁相厚度和磁晶各向异性常数才能获得高的钉扎场.     

厚膜永磁阵列表面磁场分布研究

厚膜永磁阵列是近年来 MEMS器件中的重要材料之一 ,研究其表面磁场分布对实际应用中永磁阵列单元几何尺寸的设计具有重要指导作用。文中建立了厚膜永磁阵列表面磁场分布的计算模型 ,并得到了永磁阵列表面磁场分布。结果表明永磁阵列表面磁场呈周期性分布 ,与磁体单元高度、宽度以及磁体单元间隔密切相关。