排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 218 毫秒
1
1.
2.
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Mon^-团簇束,当团簇束分别在偏压为0、1、3、5、10kV的电场中加速后,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Mo/Si(111)薄膜样品。用XRD分析表明,在室温下,偏压≤5kV团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的Mo/Si(111)样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10kV时,团簇束沉积其界面直接有MoSi2生成。对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3kV),薄膜才开始以Mo(110)择优取向生长。 相似文献
1