基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究

设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数.     

光纤的总剂量效应分析研究

对光纤的总剂量效应进行了研究.介绍了光纤结构及传输特性,分析了光纤的总剂量效应.讨论了60Co-γ射线辐照条件下的试验结果.分析表明,在空间辐射环境中,光纤的传输性能在长波段受影响较小.对光纤在空间的应用有参考意义.     

导电材料缺陷的涡流成像检测技术研究

针对目前涡流无损检测尚存在检测精度低、反演识别难的问题,利用理论仿真分析,设计了励磁均匀性较好的励磁线圈和阵列隧道磁阻(TMR)传感器探头,基于阵列探头提出了等空间间隔插值成像缺陷检测方法,搭建试验系统,并进行缺陷检测试验。结果表明,提出的方法可有效地避免探头速度对成像结果的影响,从而实现不同形状尺寸缺陷的轮廓成像检测,为后续导电材料缺陷的涡流智能检测提供支持。     

总剂量效应模拟试验中的模拟源比较

分析了模拟试验中各种辐射源对试验样品的影响,从理论上分析了在总剂量辐照试验中不同模拟源的差异,对辐照模拟源的选取给出了选择的建议.     

月球探测辐射环境分析

扼要介绍了月球探测的辐射环境,分析了CE-1在轨探测的辐射环境数据,在此基础上,分析了月球辐射环境对探测器的影响,提出了后续月球探测辐射防护研究建议。     

GEANT4-RIC方法在卫星内放电监测器研制中的应用研究

围绕CRRES卫星内放电监测器在轨试验,国外开展了大量空间内带电的关键性研究,为NASA-HDBK-4002等规范的建立奠定了坚实的基础。针对实验室研制的内放电监测装置,采用GEANT4-RIC数值模拟和地面试验相结合的方法对内放电监测器的放电状况进行了对比研究,验证了模拟方法的正确性,为进一步开展空间辐射效应监测器研制提供了一种新的设计方法 。     

星用光纤通信系统中的发光二极管的总剂量效应研究

介绍了星用光纤通信系统中的发光二极管在 6 0 Co- γ射线辐照下的总剂量效应试验研究 ,通过对不同剂量辐照情况下发光二极管的发光光谱、伏安特性及 P- I曲线进行测试 ,给出了在不同剂量的 γ- 6 0 Co射线辐照下发光二极管的发光光谱、伏安特性及 P- I曲线     

基于塑料闪烁体光纤阵列的中子探测系统设计

为了能探测高能中子，获得中子能谱信息，设计了一套基于塑料闪烁体光纤和多路复用技术的中子探测系统。利用梯度尺寸结构的阵列化探头感应中子入射的能量和方向。多路复用数据采集及读出单元接收探测器输出信号并产生触发信号，经处理后上传给上位机。数据采集及读出系统通过以太网实现实时通信。上位机程序基于LabWindows/CVI软件平台开发，实现数据读取与保存以及采集系统运行状态参数信息的实时显示。通过中子模拟源进行了现场测试，结果表明，设计的中子探测系统满足设计要求，能实现中子能量与入射方向的测量。     

SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究

验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态（Single Event Transient,SET）效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。     

月尘环境下太阳入射角对太阳能电池输出特性影响研究

在月表环境中,月尘沉降在太阳能电池表面会改变太阳能电池的输出特性,降低太阳能电池效率和使用寿命.通过理论分析建立了模型,计算得到了太阳能电池输出参数与太阳光入射角度之间的关系;搭建了测试平台,测量了不同入射光角度(0～90°)下太阳能电池输出特性,得到了太阳能电池短路电流、开路电压和转化效率等参数随太阳光入射角的变化曲...