HT-6B托卡马克装置运行水平(英文)

介绍了HT-6B托卡马克装置运行情况,分析其运行区扩大过程,讨论了主要参数的提高情况。在归一化运行图上与国际上几个著名装置对比表明:在欧姆加热条件下,HT-6B的运行区域已达到国际上著名装置的同等水平。     

用RHF在HT-6B托卡马克上研究等离子体的约束和锯齿振荡行为

给出了HT-6B托卡马克上的共振螺旋场(RHF)对等离子体的约束和锯齿振荡行为的影响的实验结果。RHF使电子热导减小、电子温度分布变宽、等离子体密度增加并增强了杂质辐射,同时使锯齿振荡增强(包括锯齿幅度、周期、上升率及反相半径)和m=2、3、4的MHD不稳定性被抑制。实验结果表明RHF使放电进入一个新的放电状态。     

器壁状态对HT-6B放电的影响

一、前言辉光放电和低能快速托卡马克放电是清除放电容器第一壁上的低能杂质的重要手段。实验指出用上述方法处理的相对清洁奥氏体不锈钢容器表面上,金属铁、镍、铬原子数目的总和占表面上原予数目的50～60%。其余的是碳、氧、氮。吸附在表面层上的气体分子和原子结合能有一个连续变化范围,从零点几电子伏到大约5电子伏。结合能大于2.5eV时,在700 K的温度下都不能被解吸。但在托卡马克放电过程中,大量     

HT-6B托卡马克杂质输运

在HT-6B托卡马克上,通过测量杂质的真空紫外线辐射和可见线辐射,得出杂质各电离态的稳态空间分布。建立了杂质输运计算程序,模拟分析出该装置上杂质输运系数和其它与之有关的参数。通过对慢磁压缩下杂质线辐射时空分布的测量和模拟分析,得出了杂质约束因磁压缩而增强、杂质再循环随之降低等结论。同时对该装置上杂质输运特征进行了分析与讨论。     

HT-6B托卡马克装置放电区精细结构研究(英文)

在HT-6B托卡马克装置的不同n_eq(α) 参数条件下,发现五种不同特性的放电区。两种主要的典型放电区为锯齿区(SAWTOOTH)和MHD振荡区。在此二区之间存在一个过渡区。过渡区中可以出现锯齿和MHD振荡两种放电状态。在低密度情况下出现高能电子区和逃逸区。在低q(α)的过渡区及其附近(共振区),外加共振螺旋场(RHF)有强烈地抑制MHD振荡、放大锯齿波形、改善放电等多种作用。     

分子流在短管中的扩散

本文计算了气体经过孔眼进入短管,扩散到以一定抽速被抽的容积中,其压力变化与入口压力、孔眼面积及短管尺寸的函数关系。给出了分子流扩散方程的边界条件,推导出入口压力在线性近似下方程的解。理论计算结果和玻璃B-A规管对管口气压变化的响应实验进行了比较,两者吻合。