27keV Ar~+斜入射时的Cu-Au合金溅射实验角分布

用27keV Ar~+分别在垂直和倾斜入射情况下,轰击了Cu-Au(30wt％)合金样品,测量了Cu和Au原子的溅射角分布。角分布是用卢瑟福背散射(RBS)技术分析Al捕获膜上的Cu-Au沉积成分而定量得到的。结果表明:(1)在Ar~+倾斜(θ=40°)入射时,Cu原子择优发射,且程度比垂直入射(θ_r=O°)时增强:(2)倾斜入射时,Cu原子的角分布显示出在接近于样品表面法线方向的发射角范围内(θ<45°),发射机率比垂直入射时减小。     

POLYMER DIODES MADE OF ION IMPLANTED POLYACETYLENE FILMS

Polyacetylene films were doped with FeCl3 and implanted with 30 k'eV K+ ions. Physical changes to the films were examined by a series of measurements, which include the four-probe test, infrared ray absorption and 2 MeV He+ particle elastic recoil dettection and Rutherford backscattering. The chemical dopants (Fe+++ and Cl-) were redistributed after the implantation and the different species (K+. Fe+++ and Cl-ions) formed p - n junctions at the implantation depths. The implanted films exhibited desirable Ⅰ-Ⅴ characteristics, with current densities as high as 600 mA/cm- at 3V and back - to - forward ratio of current over 300. The polymer diodes kept their behavior for over 60 days. Discussions on the results were given in detail.     

离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索

聚乙炔(CH)x是一种简单的共轭有机导电高分子材料。1975年日本白川首先用高浓度的Ti(OBu)_4-AlEt_3体系在-78℃下定向聚合得到了均匀的、具有高结晶度的顺式(CH)x薄膜。1977年白川与美国MacCDiarmid等合作,发现掺杂能改善(CH)x的导电性能。后来又发现掺入不同的杂质可使(CH)x显示n型或P型半导体的特性。聚乙炔薄膜具有物理上准一维金属膜型的一些特殊性质,因而引起物理学家的广泛兴趣。1980年美国Su、Schrieffer和Heeger提出了聚乙炔的孤立子(Soliton)导电模型,并用这种模型成功地阐述了一些实验现象。(CH)x的原料便宜,合成简单,具有广阔的应用前景。人们预期可以把聚乙炔应用于制备太阳能电池、蓄电池及塑料半导体器件等。     

一个提高中子发生器靶寿命的简易方法

中子发生器靶的寿命是使用中一个较突出的问题。为提高靶的寿命,一般采用各种形式的旋转靶。本文介绍采用磁场扫描方法使束斑在靶的活性区做圆周运动,使束的功率密度不致太集中于某个区域,从而改善了靶的冷却,使钛氚靶在10~(10)n/s产额下半寿命比原来提高了3～4倍。如配合使用旋转靶,将使靶的寿命进一步提高。     

一个短间隙离子束减速系统

当今,甚低能离子束(几十ey—几个keV)在材料科学中发挥着越来越大的作用。低能离子注入和低能离子束沉积(尤其是经过质量分析的)在离子溅射等应用基础研究和各种功能膜的制备等方面有着宽广的应用前景。应用实验室电磁同位素分离器制备核物理实验用各种稳定同位素靶(几十—几百μg/cm~2的薄靶)时为了提高收集效率(要使自溅射系数小于1),也需     

束流截面监示仪及其在离子源试验台上的应用

本文介绍束流截面监示仪的原理、结构和在离子源试验台上的实验结果及其优缺点。 本截面仪采用45°螺旋线探针。探针每旋转一周就给出了在两个互相垂直的方向上束截面的形状,也指明了束在束管中的位置和束流大小。束截面仪的使用给束的调节带来了方便。 本截面仪采用磁耦合静密封代替旋转密封,结构简单、使用方便。外形尺寸为φ120×180mm。     

中子发生器低速旋转靶

对高通量D-T中子发生器(中子通量高于10~(10)n/s)来说,采用大面积旋转靶,是提高靶对束功率的耗散能力,从而提高靶寿命的一种常用的有效方法。作者设计并试验的一种低速旋转靶(见图)使用靶片的最 大直径为150mm,环形活性区宽度为3cm。转速有60、120转/分两 种。靶座设计中考虑尽可能轻巧(减少感生活性)。靶片一样品间的距 离尽可能短(约5～6mm),以有效地利用中子通量,整个靶座由不锈 钢材料制成,并采用铁饼形的薄壳结构,束管和壳体用氩弧焊连接 成一体,靶片固定于φ20mm不锈钢管制成的旋转轴底部的冷却水 室上(中央冷却面φ70mm)。转轴中央装有进水管,靶片受到径向水 流冷却。     

中等电荷态双等-PIG源的实验研究

重离子加速器(串列加速器除外)、离子注入机和其它各种利用离子束进行表面分析的装置中,如果采用多电荷离子源,则可成倍地提高可供利用的离子的能量范围,这对充分发挥装置的潜力,实现装置的小型化有重要意义。 我们利用原有的双等离子体离子源,改成双等-PIG源,在离子源实验台上做了几种气体离子的引束试验,获得的初步结果如下:     

一个提高中子发生器靶寿命的简易方法

提高中子发生器靶的寿命一般采用各种形式的旋转靶。本文介绍一个借助于X、Y两组磁极,用位相差90°的交流电源激磁,在X、Y方向上产生50周交变磁场。用这种磁场扫描方法,使氘束在靶的活性区内做圆周运动,这样使束功率密度不致太集中,改善了靶的冷却,从而使钛氚靶在10~(10)n/sec产额下的半寿命比原来提高了3～4倍。若配合旋转靶使用,将使靶的寿命进一步提高(对旋转靶束斑只需一个方向扫描即可)。     

用离子注入法制备~(57)Fe穆斯堡尔样品

~(57)Fe是在常温下就能测量穆斯堡尔谱的最常用和方便的同位素之一。应用同位素分离器把~(57)Fe同位素注入待测样品,然后测量样品中~(57)Fe受激发后的内转换电子(或X,γ射线)的穆斯堡尔谱,这是近年来己发展起来的一种新的穆斯堡尔实验技术。由于它可以对不含有穆斯堡尔核素的样品进行所需穆斯堡尔核素的离子注入,并可对样品进行非破坏性测量,从而扩大了穆斯堡尔效应的应用范围。