集成pH－ISFET／压力传感器的研究

基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离，又有效地改善了敏感特性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。     

气体传感器的集成化研究状况

集成技术在未来传感器的发展中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的气体传感器的研究状况,包括半导体场效应型、晶体管型、薄膜型、微量热计型和声表面波(SAW)型气体传感器。     

差分对结构pH—ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素，采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。     

场效应型氢离子敏传感器测量方法的实验研究

基于场效应型氢离子敏传感器（Ｈ＾＋－ＩＳＦＥＴ）参数及电流－电压特性，归结出四种Ｈ＾＋－ＩＳＦＥＴ传感器的四种测量工作模式，从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明，由Ｈ＾＋－ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ对管构成的差动输出电路具有较好的共模抑制能力和Ｈ＾＋离子敏感性能。     

一种新颖的照明控制电路

根据“双元型”热释电红外传感器的工作原理和结构特点,提出了一种用红外传感器实现的室内自动照明系统的方案。该方案采用了“运动计数”的原理,通过对进出门人数的统计来实现对室内是否有人的判断。经实验证明,该方案可行,具有一定的应用价值     

新型微流通池pH－ISFET集成传感器

设计与制备了带Ｔｉ／Ａｕ膜参考电极的长臂式ｐＨ－ＩＳＦＥＴ集成传感器与微流通池。在静态和流动分析系统测量中表明：由蠕动泵驱动的待测液流动极畅，且试样量极少，响应速度快。     

Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据．     

氧化物—电解溶液界面的表面基吸附模型研究

基于统计物理学和两层有附模型提出氧经物－电解溶液界面的表面基吸附模型，推导出完全由微观物理，化学参量描述的ＯＡＥ界面电荷密度与电势的关系表达式，结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意，并对理论结果进行了讨论。     

MOS反型层中迁移率的测试技术

本文提出了三种测量半导体表面迁移率的方法:(1)直流电导法;(2)交流电导法;(3)跨导法.并测量了半导体表面迁移率与栅压的依赖关系.     

差分对结构pH－ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ｐＨ－ＩＳＦＴＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。