高压CMOS倒相器

本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载下能成功地产生200V、1MH_z的高压脉冲,并能直接驱动等离子显示板或作高压功率开关.     

GaAs与Si超高速数字集成电路的性能比较

本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。     

一种新颖的高可靠电路结构——双栅高压MOS电路

随着功率半导体技术的日益发展,功率半导体器件和电路的应用领域也愈来愈广阔,例如等离子显示,马达驱动、通讯及家用电器等.因此对功率半导体器件的电流要求愈来愈大,对器件的可靠性要求也更高.如何实现大电流的要求,主要方法是增加功率MOS器件的宽长比或重复单元来实现,如何有效地抑制二次击穿,提高器件的可靠性,就是本文作的尝试.我们采用双栅结构制备高压MOS电路获得较满意的结果.一、双栅高压MOS电路特点及工作原理常规的单栅MOS高压电路结构如图1所     

CMOS集成硅流量传感器

本文介绍了一种流量传感器新的工作原理:当流体流过加热的芯片时,为保持芯片温度恒定所需功耗的改变,可以用来作为流体速度的量度。本文用CMOS工艺首次实现了这种原理的集成流量传感器。该传感器结构简单、尺寸小(1×1.9mm),灵敏度高(在芯片温度55℃、流体温度30℃、流速50cm/s时,输出达80mW)。     

GaAs MESFET栅取向效应中背栅的作用

根据压电效应模型,本文详细研究了压电电荷对GaAs MESFET沟道与衬底界面耗尽层的影响。认为正压电电荷比负压电电荷所引起的阀值电压漂移大,较好解释了(100)衬底上沿[011]和[011]取向的GaAs MESFET阈值电压非对称反向漂移的现象。     

Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力

<正> 氮化硅薄膜广泛用于离子注入GaAs后退火的覆盖层及器件的钝化层。但由于氮化硅与GaAs热膨胀系数的差别会在氮化硅/GaAs界面存在较大应力。若氮化硅用作退火的覆盖层,这种应力会在GaAs衬底产生缺陷;若用作钝化层,则会引起GaAs MESFET栅的取向效应。因此,测量氮化硅/GaAs界面处的应力很有意义。过去人们常用的机械方法和光学方法仅能测量氮化硅薄膜的应力,而不能确定GaAs表面的应力。Raman谱方法可测量GaAs表面处的应力。本文报道了Raman谱测量氮化硅/GaAs表面应力的结果。     

Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据．     

超薄膜SOI技术与亚微米VLSI

本文介绍了传统的体硅技术在亚微米VLSI中所遇到的限制,超薄膜SOI技术(Ultrathin Silicon-On-Insulator Technology)在小尺寸器件方面具有的特点和长处,讨论了它存在的问题。     

GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验

研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.     

SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．