全文获取类型
收费全文 | 128篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 18篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
机械仪表 | 3篇 |
无线电 | 134篇 |
一般工业技术 | 1篇 |
自动化技术 | 11篇 |
出版年
2006年 | 3篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 11篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 14篇 |
1988年 | 20篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有150条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
木文介绍了硅集成液体流量传感器的结构、工作原理和新颖的背面敏感封装技
术? 理论和实验结果表明, 这种传感器具有很高的灵敏度, 特别适合于液体小流量的测量 相似文献
3.
4.
5.
本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复合寿命.考虑到发射区中重掺杂效应,本文采用了费米-狄拉克统计分布.此测定方法简便而实用. 相似文献
6.
本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。 相似文献
7.
CMOS集成硅流量传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种流量传感器新的工作原理:当流体流过加热的芯片时,为保持芯片温度恒定所需功耗的改变,可以用来作为流体速度的量度。本文用CMOS工艺首次实现了这种原理的集成流量传感器。该传感器结构简单、尺寸小(1×1.9mm),灵敏度高(在芯片温度55℃、流体温度30℃、流速50cm/s时,输出达80mW)。 相似文献
8.
本文介绍了传统的体硅技术在亚微米VLSI中所遇到的限制,超薄膜SOI技术(Ultrathin Silicon-On-Insulator Technology)在小尺寸器件方面具有的特点和长处,讨论了它存在的问题。 相似文献
9.
10.
本文分析了硅/玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用.SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱,键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击穿电压的控制,对于商用抛光硅片与玻璃,要完成良好的键合,一般SiO2厚度要小于0.5μm. 相似文献