1553B总线监视器中数据存储规律的仿真与验证

针对目前有关MIL-STD-1553B(简称1553B)数据在总线监视器(BM)中存储规律方面仿真与验证研究一直被长期忽视的现状,在从系统构成、传输方式以及字格式角度对1553B总线进行系统诠释的基础上,基于硬件仿真与遍历激励方式,对BC→RT、BC←RT、RT1(?)RT2传输方式下1553B总线数据在BM中的存储规律进行仿真与验证。仿真结果表明,所获取到的存储规律能够为正确读取BM中的总线数据提供依据。     

BST薄膜漏电流温度特性研究

采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数m值减小.通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足lnJ∝-1T,在高场下满足logJ∝1t.     

用于BST薄膜热释电单元探测器的CMOS放大电路设计

在分析热释电红外探测器响应信号特征的基础上,针对BST薄膜单元器件的应用要求,设计了一种带有源跟随器的基于CMOS结构的高增益单元放大电路,进行了理论分析和计算,并给出了仿真结果.     

热释电薄膜单片式UFPA器件微桥单元结构研究

采用RF溅射制备出Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜,剥离法制备出UFPA器件单元所需的图形化金属电极,TMAH溶液进行体硅腐蚀,并且使用保护胶和独特的夹具保护硅片正面免受腐蚀液的腐蚀.总结了一套制作微桥的简便可行的工艺流程,并最终在厚度为300μm的硅基片上成功的制备了厚度小于3 μm的面积为100 μm×100 μm的微桥单元结构.该微桥单元可以满足制备热释电薄膜单片式UFPA器件的要求.     

弹射座椅电气附件自动综合检测设备设计与实现

针对多型飞机弹射座椅电气附件功能和性能测试,传统人工检测效率低、时间长、强度大且易出错的难题,需要研制一台座椅电气自动综合检测设备。为了实现检测设备的自动化和可扩展要求,提出了一种基于640路信号切换模块、数字多用表和耐压绝缘仪的研制方案。利用水银继电器、串口通信模块和FPGA等研制了信号切换模块;综合运用虚拟仪器技术和数据库技术,设计开发了检测设备测试程序。测试验证结果表明,该检测设备实现了对多型座椅电气附件的快速准确的自动检测,同时具有扩展测试项目的功能,为检测座椅电气附件提供了先进的技术手段,提高了工作效率。     

布喇格反射型宽带单晶薄膜体声波滤波器

该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波（BAW）滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43° 铌酸锂（Y43° LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以苯并环丁烯（BCB）作为晶圆键合层,采用离子注入剥离法将亚微米厚度的Y43° LN单晶薄膜转移至具有布喇格反射层的衬底。BCB既作为键合层,也作为布喇格反射层的第一低声阻抗层,实现了单晶BAW滤波器的制备。设计并制备了三阶BAW滤波器,中心频率为2.93 GHz,绝对带宽和分数带宽分别为247 MHz和8.4%。结果表明,采用薄膜转移技术制备的高机电耦合系数LN单晶薄膜能够实现大带宽BAW滤波器的制备。     

弹射座椅电气部件检测设备软件设计与实现

针对弹射座椅电气部件自动综合检测设备需要开发测试软件的问题,分析了检测设备的硬件组成和功能,提出了一种采用虚拟仪器和数据库技术相结合的测试软件设计方案.针对检测设备自动化测试和可扩展要求,采用模块化设计原理分析了软件系统组成,并开发了检测设备测试软件程序.测试验证结果表明,测试软件能够实现对多型座椅电气部件的快速准确的自动检测,同时具有扩展测试项目功能,软件各部分在数据库管理下可靠工作,有较强的实用价值.     

需求工程与用例建模在联试设备中的应用研究

针对航电系统地面联试设备研发过程中需求难以确认的问题,提出一种基于需求工程与用例建模技术的需求分析优化方法。介绍需求工程中相关活动过程和目标输出生成模型,结合设备应用要求,提出复杂地面联试设备需求开发要点和需求管理策略,运用UML用例建模技术,给出设备管理系统和操作检验人员子系统用例图,提高复杂地面联试设备研发成功率,为同类设备需求分析提供参考。     

低能Ar+刻蚀时间对抛光单晶LiNbO3薄膜忆阻器的影响

调节低能Ar+刻蚀对单晶LiNbO3(LN)的刻蚀时间,制备了不同LN厚度的单晶薄膜忆阻器。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和电子顺磁共振(EPR)对器件的微观形貌与表面氧空位进行了表征。通过电流-电压曲线(IV曲线)、数据保持特性(Retention)和抗疲劳特性(Endurance)的测试,探究了刻蚀时长对器件电学行为的影响。结果表明,随刻蚀时间增加,器件表面光滑均匀,氧空位浓度增加,电形成电压显著降低。同时,尽管LN薄膜厚度减小后,器件的开关比(On/Off)略有降低,但其具有更好的数据保持特性。该方法适用于对由离子注入剥离法制备的单晶薄膜进行改性,以调控其阻变特性,使之可在高密度存储、神经形态计算等领域得到应用。     

倒筒式射频溅射自偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响

采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C/(cm2·K).红外单元探测器在30Hz下的探测率D*为4.93×107cm*Hz1/2/W.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法,适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.