SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。     

Ⅳ.工业钒催化剂的内部表面利用率

<正>当传质与传热过程影响催化反应速度时,利用化学动力学方程式严格地计算反应的总速度是一个极其复杂的课题。实际上一般多采用某些简化的假定,作近似计算,以满足工业设计上的需要。利用毛细管模型与催化剂内部表面利用率的概念来计算二氧化硫在工业钒催化剂上的氧化速度,给工业设计提供了一个简单有用的计算方法。     

二氧化硫在钒催化剂上氧化动力学的研究——Ⅲ.几种工业钒催化剂的动力学方程式的比较

<正>作者等过去的工作已经证实,由于扩散过程的影响、温度范围的不同、或化学组成的差异,二氧化硫在钒催化剂上的氧化动力学方程式可能具有不同的形式。反应物及生成物与催化剂之间的相互作用,可能使催化剂具有不同的颜色与活性,因而即使温度相同,由于催化剂在层内所处的部位不同,其催化活性可能并不一致。这些复杂性给工业设计带来了很大的困难。因此,合理的简化是完全必要的。 作者等选取了几种不同的工业钒催化剂,用实验方法求得了适用于它们的动力学方程式,进行比较和讨论,提出了一个简便的、合理的、可以用作设计基础的动力学方程式。     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。     

二氧化硫在钒催化剂上氧化动力学的研究——Ⅰ.永利钒催化剂的动力学方程式

<正>二氧化硫在钒催化剂上的氧化动力学问题,已经有很多人进行过研究。不过异相催化过程一般是比较复杂的,影响催化速度的因素除了催化剂本身的化学及表面性质,反应的温度,反应物与生成物的浓度之外,还有反应物或生成物在催化剂表面上的吸附或解吸速度,到达或离开催化剂表面上的物质传递过程的速度等复杂性。