光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。     

基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型

提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果,并可方便地嵌入SPICE中进行一定规模的单电子晶体管电路的模拟.     

超导场效应器件的统一Y参数信号等效电路

本文基于超导场效应的小信号传输线模型电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻，频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础。     

JFFT控制特性的近似解析分析

由高Ｔｃ超导材料制备的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ磁通流晶体管（ＪＦＦＴ）的控制特性中呈现了很强的非对称性。笔者分析了ＪＦＦＴ的控制场分布，并在电流－相位线性近似条件下，获得了这种非对称控制特性的近似解析描述。解析分析结果揭示了由控制线产生的不均匀外磁场是控制特性中非对称性产生的原因。其解析分析与实验结果之间符合较好。文中还讨论了各结构参数对ＪＦＦＴ的最大电流放大倍数的影响。     

基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型

提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以利用极小的计算机资源得到与传统的蒙特卡罗方法基本一致的模拟结果,并可方便地嵌入SPICE中进行一定规模的单电子晶体管电路的模拟     

电容耦合三结单电子晶体管特性分析

本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较，具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力     

超导磁通流晶体管的研究进展

对超导磁通流晶体管的结构、原理、特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。     

纳米电子学──电子学的前沿

论述了电子学的前沿──纳米电子学的学科涵义，发展动力，研究进展，学科分支，研究内容，学科发展的重要意义。     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。