100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备

以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/Si O2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜。研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显。还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快。     

XML查询方法的设计与研究

提出了用Petri网建立XML语义结构模型的设计方法，根据XML的DTD结构建立描述XML语义结构的Petri网模型，DTD结构中的元素声明和属性声明对应Petri网模型中的一个或一组变迁，声明中的元素或属性对应Petri 网模型中的库所，把XML查询中的路径表达式定义为Petri网库所中的Token。根据Petri网模型的结构生成存储XML数据的关系数据库模型，将XML的查询问题最终转化为数据库中数据的查询操作。 XML；Petri网；路径表达式；查询     

多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究

采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。     

高拉曼散射信号增强衬底材料:银分形网络

基于扩散限制聚集过程机制合成的大型银分形网络被用作表面增强拉曼散射活性衬底材料.此衬底材料具有很好的拉曼增强特性以及很宽的动态响应范围.其较大的增强因子可归结为高度局域化的等离激元共振.     

软件过程改进框架

在软件开发过程中,软件工程师以及软件组织不可避免地会遇到各种困难,尤其是软件组织在实施能力成熟度模型(CMM)过程中面对的各种挑战.根据对CMM研究的体会与实践经验,提出了以集成的能力成熟度模型(CMMI)为基础,以个体软件过程和群组软件过程为支持的软件过程改进框架.     

氧化铝膜对铝诱导制备多晶硅薄膜的影响

为了考察硅铝界面氧化铝膜对铝诱导多晶硅的影响,本文用磁控溅射方法制备了界面有无氧化铝膜的硅铝复合结构。XRD测试表明两种铝诱导方法均制备了具有(111)高度择优取向的多晶硅薄膜。光学显微镜和扫描电镜照片显示,有氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜有两层,下层为大晶粒(40μm-60μm)枝晶状多晶硅,拉曼谱显示其结晶质量接近单晶,而上层膜晶粒较小,结晶质量较差。无氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜只有单层结构,其晶体结构和结晶质量都与有氧化铝膜时铝诱导的上层多晶硅薄膜相似。结果表明,硅铝界面上氧化铝的存在大大提高了铝诱导多晶硅薄膜的质量,但是另一方面也限制了铝诱导多晶硅的晶化速率。