气体传感器的集成化研究状况

集成技术在未来传感器的发展中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的气体传感器的研究状况,包括半导体场效应型、晶体管型、薄膜型、微量热计型和声表面波(SAW)型气体传感器。     

差分对结构pH—ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素，采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。     

Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据．     

氧化物—电解溶液界面的表面基吸附模型研究

基于统计物理学和两层有附模型提出氧经物－电解溶液界面的表面基吸附模型，推导出完全由微观物理，化学参量描述的ＯＡＥ界面电荷密度与电势的关系表达式，结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意，并对理论结果进行了讨论。     

双框架微机械陀螺制备关键技术

研究了对双框架微机械陀螺性能有重要影响的关键制备技术,即不去胶条件下的电铸厚度检测、控制技术,以及结构层内应力的检测、控制技术。在此基础上采用本实验室自对准的准LIGA工艺制备出陀螺结构,其活动区面积为1．0×1．0mm2,框架厚度4μm。经加电测试,已观测到内、外框架在空气中的振动。     

差分对结构pH－ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ｐＨ－ＩＳＦＴＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。     

电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。     

甩统计理论对半导体陶瓷气敏机理的研究

本文试图对半导体陶瓷气敏元件的敏感机理提出理论模型。假定吸附表面态由吸附的氧离子构成,则在吸附还原气体时,将伴随着向体内发射自由电子。运用统计热力学的一般方法给出电导率随气体浓度、加热温度以及材料参数变化的解析表达式,从而得到灵敏度与加热温度、气体浓度和材料参数的定量关系,所得结果与实验结果基本符合。     

离子敏感场效应器件研究的进展

离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，如ＢｉｏＦＥＴ、ＥＮＦＥＴ、ＩＭＦ...     

pH－ISFET传感器及其测量方法研究

在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电极仍得到较好的线性响应。