薄膜型锑化铟霍尔元件芯片测试系统的设计与实现

针对薄膜型锑化铟霍尔元件芯片性能测试,设计了一套霍尔元件芯片测试系统。系统主要由手动探针台、显微镜、探针卡、外加磁场、PLC以及测试软件组成,可以进行霍尔元件芯片的输入和输出电阻、不平衡电压以及霍尔电压的测试。测试系统稳定性好,重复度高,测试误差较小。手动探针台操作简单,测试方便,灵活性强,可分别测试4英寸硅片和3英寸铁氧体衬底制备的薄膜型锑化铟霍尔元件芯片,以较低成本满足了霍尔元件芯片研发过程中芯片测试的需求。     

以太网电路仿真中抖动缓冲器性能对业务时延影响的研究

电路仿真中影响业务时延的因素很多,本文主要研究抖动缓冲器的性能对业务时延的影响。通过对抖动缓冲器建模、仿真,分析了仿真分组大小以及抖动缓冲器的存储容量和业务时延的关系并得出一些结论。在此基础上提出了划分缓冲子区的存储策略并证明了该策略的有效性。     

镭-226密封源的氡气检漏

本文介绍了一种对医用和作为γ标准源用的密封镭-226源的简易的检漏方法和装置。此方法基于射气法测镭原理,在10~(-1)—10~(-2)毫米汞柱高负压下进行检漏。在半小时内能大致确     

工厂建（构）筑物的腐蚀与防护

一、概述 我厂是八十年代末建成并投产的氨碱法纯碱生产厂,在建厂期间没有对建(构)筑物进行防腐设计及施工,生产初期,对建(构)筑物腐蚀的严重性又认识不足,加之资金短缺,没有及时防腐,致使建(构)筑物遭到严重腐蚀。如盐水车间、蒸吸工序、碳化工序及其周围的钢筋砼梁、柱产生顺筋裂纹及表面粉化;煅烧厂房、滤过厂房墙面水泥砂浆粉化脱落,尤其是窗台下的内墙面腐蚀最为严重,墙上的红砖已经腐蚀深达5cm左右,严重的地方整个墙的厚度所剩无几;煅烧厂房、成品包装厂房砼地坪粉化较为严重,并有大面积鼓泡脱落等。严重影响生产的正常运行。因此对建(构)筑物的维修和防腐蚀有着非常重要的意义。     

温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响

锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比.采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃.同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象.这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴.     

以太网电路仿真中抖动缓冲器性能对业务时延影响的研究

电路仿真中影响业务时延的因素很多，本文主要研究抖动缓冲器的性能对业务时延的影响。通过对抖动缓冲器建模、仿真，分析了仿真分组大小以及抖动缓冲器的存储容量和业务时延的关系并得出一些结论。在此基础上提出了划分缓冲子区的存储策略并证明了该策略的有效性。     

浮石混凝土小型空心砌块砌体轴心受压性能的试验研究

本文根据浮石混凝土小型空心砌块砌体轴心受压试验结果,分析了这种砌体的受力性能、破坏特征以及影响强度的因素,并给出了砌体轴压强度的计算公式.     

梁端有效支承长度的测定和计算方法

本文讨论了现行规范梁端有效支承长度α_c计算公式存在的问题。根据试验提出了新的更符合实际的α_c计算公式。并研究了使用荷载和上部荷载作用下α_c的计算方法。     

非晶硅锗单结电池的研究

ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａ－ＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２．０１％的ａ－ＳｉＧｅ单结电池。     

基于MTK平台的智能家居控制网络系统

针对MTK芯片的高性价比和可二次开发的特性,开发了基于MTK平台的智能家居控制网络系统,通过对MTK手机软件系统的修改,以及对家用电器接口电路的设计,实现了智能家居控制网络系统的基本功能,通过MTK平台丰富的GPIO（General Purpose Input Output）口,可以挂载数十种家电和监控设备,该系统调试...