LED芯片封装缺陷检测方法研究

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免.基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响.利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架问的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析.实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测.计算结果与实验结果较好吻合.     

LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究

介绍了发光二极管（LED）封装工艺中常见焊接缺陷与可能存在的危害。对污染物造成的焊接缺陷作了具体研究,理论分析了因缺陷引入的接触电阻和隧道电阻,测量了正常情况和缺陷焊接时LED的光谱和光生电流,并提出了存在缺陷焊接的LED的等效电路,对实验结果进行了分析。结果表明：LED发生焊接缺陷时的发光强度、光生电流明显比正常情况小,可以通过测试LED芯片的发光强度或光生电流达到检测LED焊接缺陷的目的。该研究对提高LED封装的可靠性和提出检测LED焊接缺陷的方法具有重要意义。     

LED芯片封装缺陷检测方法研究

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免,基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感受定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。