钢中贝氏体预相变过程的研究

用扫描俄歇显微探针（ＡＥＳ）分析了６５Ｓｉ２Ｍｎ钢中温转变孕育期内碳原子的成分变化。结果表明，在中温转变孕育期等温时，奥氏体晶界附近及晶内均形成可稳定存在的贫碳区。贝氏体预相变的实质是碳原子向晶界及其他晶体缺陷扩散偏聚而形成贫碳区的过程。中温转变孕育期内形成贫碳区具有热力学及动力学可能性。     

我国粮食安全与节水灌溉问题的探讨

一、粮食安全与节水灌溉 1.粮食安全的内涵 笔者认为,粮食安全是指国家在可持续发展过程中能够满足人民日益增长粮食需求的能力。它包括四层含义：一是粮食生产安全,即保障粮食供给的数量与质量（质量包括营养价值与健康价值）;二是粮食储存安全,即保障粮食有足够的存储量;三是粮食流通安全,     

汽轮机低压转子2Cr13不锈钢叶片断裂分析

通过断口宏观形态分析、扫描电镜(SEM)微观观察、能谱(EDS)分析和显微组织分析以及常规力学性能测试,对电站汽轮机低压转子2Cr13不锈钢叶片断裂失效模式和失效原因进行了全面的分析,并对开裂机制进行了深入探讨.结果表明:该汽轮机低压转子2Cr13不锈钢叶片的失效模式为腐蚀疲劳破坏,叶片材质较差的内部因素和腐蚀疲劳的工况条件共同作用造成了叶片的断裂失效.     

分形维数和弹性模量衰减表征2D-C/SiC的拉伸蠕变损伤

真空条件对2D—C／SiC复合材料在1300℃和1500℃进行了高温拉伸蠕变试验，蠕变进行到0、0．5h、2h、10h、25h、50h中断试验，用SEM观察表面形貌，用盒维数法计算试样表面裂纹的分形维数；同时测量试样的弹性模量。结果表明，由于2D—C／SiC特有的蠕变损伤形式，所形成的损伤尺度都较短，其分形维数介于0～1之间。用分形维数和弹性模量衰减都可表征2D—C／SiC的蠕变损伤，两种损伤参量所描述的蠕变损伤总的发展趋势基本一致，即蠕变开始阶段损伤发展较快，随后进入缓慢发展的第二阶段。在第二阶段中，分形维数表征的损伤持续单调增加；而用弹性模量衰减表征的损伤在该阶段出现先下降随后升高的现象。以基体裂纹为主要损伤形式的条件下。分形维数主要反映蠕变试样局部的损伤，而弹性模量衰减反映的是蠕变试样整体的损伤。     

采用视频积累器的对数接收机的检测性能

本文研究瑞利和非高斯型杂波干扰中对数接收机的检测性能。在瑞利杂波干扰中,求出了稳定目标Swerling第一类起伏目标和Swerling第二类起伏目标的这种性能。对数接收机的检测损失通常小于Green推测的损失1/2 logn,但与Hansen确定的渐近损失1.08分贝相一致。Swerling第二类起伏目标的损失在频率捷变应用中是很重要的,在积累脉冲数少而检测概率P_d较高时,该损失可能很严重,而且显然趋近于渐近损失1.08分贝作为下限。为了确定对数接收机的性能,给出了Gram-Charlier级数的累积量的曲线。还给出了确定对数-正态和韦布尔杂波干扰下对数接收机检测性能的曲线。     

无线传输技术在通信机房动环监测中的应用

现阶段，通信机房动环监测能以多种方式进行数据传输，其中无线网络传输技术主要包括4G、5G等，实现了多种环境下的动环监测。为了能在通信网络中断的情况下正常使用网络，现阶段动环监测机房中仍有传统有线网络存在，有助于避免影响正常的传输工作，进一步提高通信机房动环监测的可靠性和故障处理效率。文中对通信机房动环监控系统的建立、开发与应用进行了分析，在此基础上，提出了通信机房动环监测中的无线传输应用关键技术，希望能促进通信机房动环监测的发展，为通信工作者提供参考。     

一种风机密封部新的密封形式

风机密封部密封形式有多种。现提出的是一种新型的密封形式 ,工程实践证明这是一种可行的密封形式     

信息技术在传统图书行业中的应用

正引言:作为一个传统图书发行企业的信息维护人员,我想在这里谈一些自己的看法,希望能够给类似的传统企业一些建议和帮助。这是一个图书发行公司,主营业务就是图书。按照软件公司对行业的分类规则,这里需要一个整体ERP软件来满足公司的需求。软件也就相当于一个大账房,为了能够后期做到强大的数据统计工作,生产过程中产生的有效数据必须有记录,将数据记录工作做到完善,是满足企业需求的基础。同时,要考虑到作为一个传统企业,这里面会有很多棘手的历史问题。既然是进销存,那就从头开始聊一聊吧。     

2090铝锂合金中T1相与亚晶界间的交互作用

利用ＴＥＭ技术和位错应力场的计算，研究了２０９０ＡｌＬｉ合金中片状脱溶相Ｔ１在小角度晶界上的非均匀沉淀情况。ＴＥＭ观察结果表明，仅有一种Ｔ１相的变体可在亚晶界上析出。通过对［１１０］束向下所出现的惯析面平行于（１１１）和（１１１）晶面的两种变体与刃型位错墙的弹性交互作用能的计算，得到了在亚晶界上所析出的变体具有较低的弹性交互作用能的结论，因而该变体在亚晶界上析出时具有较小的形核功。     

SiC沉积的机理研究

在石墨基底上采用低压化学气相沉积法沉积SiC,沉积室是热壁.H2载气通过鼓泡法将三氯甲基硅烷(methyltrichlorosilane,MTS)送入沉积室,沉积基底的面积和沉积室的体积比为1×10-2mm-1.沉积参数为:压力5kPa,温度1 100℃,H2的流量为150mL/min,气相成分中H2和MTS的流量比为10.结果表明:较大的液态聚基体表面能低,小液滴在大液滴表面沉积.H2流量小时,小液滴沿大液滴的生长锥顶部环状沉积,各生长锥问有间隙.H2流量增加时,小液滴无序的分散在大液滴的表面上.据此提出了一种可能的SiC的沉积和生长机理.