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利用扫描电镜及图象分析仪对影响扭轧钻头用W6M05Cr4V2冷拔高速钢热塑性的各种缺陷进行了全面的检测。结果表明,这些缺陷可归结为两大类,即冶金缺陷与冷拔缺陷。文中逐一分析了两大类缺陷对热塑性的危害,为钻头扭轧生产实施轧材优选与质量改善提供了参考。 相似文献
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关于Cu—Zn—Al贝氏体相变的阶段性——I.TTT图 总被引:1,自引:0,他引:1
从理论上证明了相变过程中形成混合产物的可能性。通过测定Cu-Zn-Al合金TTT图,讨论了贝氏体相变阶段性并定义了贝氏体相变阶段。 相似文献
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采用一步电沉积法在导电性能优异的碳布上生长二元镍铁硫化物纳米片作为超级电容器的电极,从而进一步提高其电化学性能.由于复合材料纳米结构具有较小的尺寸且表面粗糙多孔,为充放电过程中发生氧化还原反应提供了更加丰富的活性位点.同时,碳布作为基底,也进一步提高了复合材料的导电性.通过比较不同比例Ni-Fe-S/碳布复合材料的电化学性能,得到了性能最优异的比例,并对其进行了进一步的测试.复合材料的比电容在1A/g时可达到770 F/g,并在40 A/g时容量可以保持在672 F/g.在进行10000次循环后,可保持初始值的92.3%.本研究对于二元金属硫化物/碳布复合材料作为超级电容器电极材料的发展具有一定的促进作用. 相似文献
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采用反应熔体渗透法(reactive melt infiltration, RMI)制备了碳/碳化硅(C/SiC)刹车材料, 利用X射线衍射分析了材料组成, 并通过光学、扫描电子和透射电子显微镜从不同尺度观察了刹车材料的微观结构. 结果发现, 反应生成的SiC是面心立方的β-SiC, 主要分布在胎网层、针刺纤维附近以及无纬布层的纤维束间; 残余的单质Si分布在SiC的颗粒间. SiC在SiC-Si界面上, 以大约5~15μm的粗大颗粒存在; 而在SiC-C界面上, 以粒径100nm左右的细小颗粒存在. 相似文献
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引入10%(摩尔分数,相对于A12O3,下同)MgO和15%SiO2双组分添加剂合成了钛酸铝粉体.采用不同质量比的钛酸铝粉体和工业莫来石,用干压和注凝成型工艺制备了莫来石-钛酸铝(mullite-aluminium titanate,MAT)复相陶瓷.用X射线衍射分析了双组分添加剂对钛酸铝相组成和热稳定性的影响.通过扫描电镜表征了MAT复相陶瓷的微结构.研究了钛酸铝含量对采用于压、注凝2种成型工艺制备的MAT复相陶瓷的弯曲强度和平均热膨胀系数(室温~1 000℃)的影响.结果表明:MgO和SiO2双组分添加剂促进了钛酸铝的形成,增强了钛酸铝的热稳定性.通过注凝成型制备的MAT复相陶瓷比于压成型制备的MAT复相陶瓷具有史均匀的结构和更高的机械性能.当铸酸铝含量为lO%(质量分数,下同),运用注凝成型工艺 制备的MAT复相陶瓷的弯曲强度最大,达110.05 Mpa. 相似文献
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利用透射电子显微镜研究了PST双相TiAl晶体高温变形后的位错组态。发现微孪晶变形、1/2<110]单位位错、<011]超点阵位错、1/2<112]超点阵位错均参与了变形。螺型<011]超点阵位错可在{100}面上分解,构成Kear-Wilsdorf锁。400℃,600℃变形时由1/2<112]位错分解形成的层错偶极子仍然存在,但数量减少。850℃变形时未发现层错偶极子,但这时1/2<112]刃型可动位错数量增加。原位加热观察表明,层错偶极子在650℃时完全消失。本文讨论了这些位错特征对TiAl合金韧脆转变特征的影响。 相似文献