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将晶体管设计中繁琐的纵向、横向参数的设计计算以及参数验算,采用Basic人机对话方式,由计算机完成。并用BAsic语言绘制出所需的七块光刻掩膜图。既大大地减轻了设计人员繁琐劳动、缩短了设计时间、提高设计质量,又便于修改。还可广泛用于同种结构的不同动率要求的各种晶体管的设计中。 相似文献
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提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法． 相似文献
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通过测量GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的饱和漏-源电流分布研究了深施主缺陷EL 相似文献
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对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算,包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布,在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的I－V特性的影响。 相似文献
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Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 C受主 L VM主吸收带的低能边出现的一个吸收边带有关。该边带可能起因于 C受主 L VM第一激发态向第二激发态的跃迁。 相似文献
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化学方法实现GaAs表面Cu的沉积 总被引：1，自引：0，他引：1
用一种简单的化学方法在ＬＥＣ ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求。本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。 相似文献
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介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外延片，并确定了比较好的生长工艺条件．这对生长高质量的ＧａＡｓ外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义． 相似文献
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对掺Si补偿Cu的GaAs(GaAs∶Si∶Cu)材料的光控开关特性进行了计算机模拟,结果表明Cu与Si的浓度比和激光通量是影响开关特性的两个重要因素,越大,电导淬灭时间越短;光通量越大,导通态电导率越大,开关闭合、断开时间越短.并分析了上述现象的产生机理. 相似文献
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