深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究

本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风，采用了硅微机械技术，且实现了麦克风电容两电极之间的自对准，大大提高了麦克风的生产效率，降低了成本．纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用，而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加，这些都显著地提高了麦克风的灵敏度，是该项新结构的关键．本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系，及结构的优化进行了研究．通过对制作出的不同结构参数ｑ值的麦克风的测试，得到了与初步理论分析基本相符的实验结果．实验证明，纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．     

表面应力测量SOI压阻悬臂梁传感器设计与优化

研究了基于SOI(silicon on insulator)工艺的压阻悬臂梁传感器的静态和动态特性,推导了其用于表面应力测量时灵敏度和分辨率的表达式.分析了各种参数对性能的影响,提出了参数设计与优化的流程.得到了一套灵敏度为-1.8×10-3m/N,分辨率为8.5×10-5N/m,弹性系数为0.023N/m,谐振频率为1.3×104Hz的设计参数.     

面向RF IC的片上铁氧体磁膜电感

采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4,Y2.8Bi0.2Fe5O12和Co7ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构相对比,铁氧体磁膜电感显著增强了电感性能,是一种实现小尺寸、高性能片上RF IC电感的很有前景的途径.     

野菊花天然染料的提取及染色性能

研究了野菊花天然染料的提取工艺及其对棉织物的染色工艺,并对染色后织物进行了相关性能测试。结果表明,较优提取工艺为以水为提取剂,提取温度为100℃,提取时间为90min,pH值为9,物料比为1∶40。较优染色工艺如下:以明矾为媒染剂,浴比为1∶20,染液pH值为4,染色温度为50℃,染色时间为50min,后媒时间为30min,后媒温度为50℃。经优化工艺染色的织物的干、湿摩擦牢度分别为4～5级和4级;日晒、皂洗牢度分别为3级和3～4级;织物的抗紫外性能良好(UPF50+)。     

用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究

采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。     

一种新型三谐振点电容式RF MEMS开关

给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFM EM S开关的设计和制作研究。分析表明,当开关的上电极为多支撑梁结构时,需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现,通过适当的参数选择,可以获得多谐振点开关,不仅可以在多个频段适用,并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RF MEMS开关,并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为:驱动电压为7 V,“开”态的插入损耗为0.69 dB@10.4 GHz,“关”态的隔离度为30.8 dB@10.4 GHz,其微波性能在0~13.5 GH z频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。