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一、概述我们采用电分析和显微分析相结合的方法,在大量解剖分析失效的硅平面大功率晶体管D402、D10管芯的基础上,对表面引起失效及体内引起失效的机理进行了较为详细的分析和讨论.D402和D10晶体管是npn型硅平面低频大功率管,其主要技术性能:P_(CM)为2～5W;I_(CM)为1A;BV_(ceo)≥100V(I_C=0.5mA):I_(ceo)≤0.1mA(V_(ce)=20V);V_(ces)≤0.6V(I_c=0.5mA,I_b=0.05mA).其主要用途是作十二英寸、十四英寸黑白电视机伴音功放,以及部分电源推动和激励,其外壳采用D-1C管座封装, 相似文献
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前言 真空技术是一门新兴的应用科学,它广泛地应用在原子能、空间模拟、可控热核反应、重工业、轻工业、农业及食品储藏等方面,尤其是在电子工业中的应用显得更为重要。从半导体材料的生产、电真空器件和半导体器件的制造都离不开真空技术。 在半导体材料的生产中,如果真空度不佳,其材料的含氧量含氮量就会增加,而大大降低材料的内在质量,严重的会引起氧化,以致报废。至于电真空器件,在生产过程中真空度不佳,将会导致电参量的改变,还会缩短使用寿命,甚至引起电击穿,如生产一只白炽灯泡,真空度没有达到要求,就会引起灯泡发黑,钨丝过早烧断;电… 相似文献
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在3DD15、D7312、DD03等一类硅低频大功率管技术参数中,有一项重要的直流参数,即发射结反向击穿电压BV_(EBO)。EB结反向特性的硬、软和高低,直接影响交、直流讯号的正常放大,按技术指标的规定,一般均要求BV_(EBO)≥5V(测试条件I_B=1mA)且呈硬击穿。根据3DD15、DD03、D7312等一类低频大功率管的工艺结构设计,为了保证器件在大电流工作时也有同样足够的电流放大系数以及有较高的BV_(EBO)、BV_(CEO),我们选取基区浓度N_D=(1～5)×10~(18)cm~(-3),N_(e)=1×10~(21)cm(-3),X_(ic)≈30μm,X_(ie)=15～20μm,实际制得的管子EB反向击穿电压BV(EBO)均能达到12V以上,且 相似文献
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