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1.
液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
2.
Nd3+取代对(PbCa)(FeNb)O3介质陶瓷微波特性及晶体结构的影响研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了A位Nd^3 非电荷平衡取代量对[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3晶体结构及微波介电性能的影响.用XRD研究了Nd^3 的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响.介电性能研究表明,体系介电常数随Nd^3 先增加后减小,并且当Nd^3 的含量超过一定值时,体系的品质因数得到改善.用键价理论分析了体系谐振频率温度系数随Nd^3 取代量的变化关系.当Nd^3 的含量为5mol%时体系微波介电性能达到最佳为;εr=87.9,Qf=5210GHz,Tf=7.8ppm/K.研究了[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3体系中晶体结构与介电性能之间的关系. 相似文献
3.
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挠曲电效应是一种应变梯度与电极化(正挠曲电效应)或电场强度梯度与应变(逆挠曲电效应)之间的力电耦合效应。与压电效应不同,挠曲电效应不受材料对称性、Curie温度所限制,且随着材料尺寸减小而不断增强,因而具有广阔的研究与应用前景。本文主要总结了挠曲电效应的发展历史、挠曲电系数测量、挠曲电效应增强机制以及当前研究进展,重点介绍了挠曲电效应在传感器、致动器、机械存储器、挠曲电压电复合材料、俘能器以及新型电子器件等领域应用的最新研究进展,最后对挠曲电效应的发展前景进行了展望。 相似文献
7.
对(1-x)PbTiO2+xPb(Cd1/3Nb2/3)O3系压电陶瓷进行了研究实验结果指出 ,当x=0.14时掺入适量的改性加物NiO2,MnO2,WO3,经过适当的工艺过程,可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料,其中,材料的居里温度TC〉400℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数Kt可达0.45,介电常数ε小于210,是一种很有前途和高温同频压电陶瓷材料。 相似文献
8.
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10.
微波烧结制备钛酸锶钡红外探测器材料 总被引:1,自引:0,他引:1
以乙酸盐为原料,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,采用sol-gel法制备了Mn掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)凝胶,分析了凝胶的热演化过程,分别用传统烧结和微波烧结技术制备BST纳米粉体。与传统烧结相比,900℃微波烧结0.5h即可合成纯钙钛矿相BST粉体,相同烧结温度下所需时间缩短3/4,有效控制晶粒长大,粉体粒径约60nm。采用该粉体制备的BST厚膜材料,εm>1000,tanδ<0.02,弥散指数降低,是制备大阵列非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的优选材料。 相似文献