低电阻率介质层制备低压驱动薄膜电致发光器件的研究

采用Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，５ａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合介质制备出２低压驱动ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下。当驱动电压国６０频率为５０Ｈｚ时，发光亮度在３００ｃｄ／ｍ＾２以上，发光层中平均电场强度为１０＾５Ｖ／ｃｍ数量级。这种器件具有其独特的亮主压特性、频率特性和电荷存储量－电压特性。     

胶体硒化镉量子点的荧光时间分辨谱研究

使用化学胶体法合成了12个高质量、不同尺寸的胶体硒化镉量子点.测量了样品的时间分辨光致发光谱、TEM谱,同时测量并计算了样品的光致发光量子产率以及光致发光寿命.研究结果表明:硒化镉量子点的光辐射强度与表面相关的光辐射强度均由量子点的表面缺陷形式决定,并且也决定了光致发光量子产率、光致发光寿命.量子点的表面缺陷形式决定于尺寸,在量子点的生长过程中存在的表面的优化/重构也依赖于尺寸.     

基于LabVIEW的核燃料组件图像倾斜处理技术研究

提出了一种基于LabVIEW的高精度、高效率的燃料组件图像倾斜处理方法。对获取的倾斜的燃料组件图像进行ROI区域选取、图像掩膜、图像灰度化、图像二值化和高级形态学凸包等预处理,使得燃料组件图像变得更加清晰。使用搜索特征点的方法判断图像的倾斜方向,通过最小二乘法拟合直线得出图像的倾斜角,通过旋转矩阵对图像进行倾斜校正。由于此方法通过选取感兴趣的区域缩小了处理的图像面积,因此针对性更强、效率更高。实验结果表明该技术有效地校正了倾斜的燃料组件图像,并且提高了燃料组件棒间距测量的精度。     

显示技术与光电子薄膜

简单阐述了显示技术与光电子薄膜的关系及其重要性，介绍了三种显示技术，即液晶显示、场致发光的电致变色的研究现状及发展趋势。     

量子点发光材料及其在照明光源器件中的应用

本文介绍了一种新型的发光材料--量子点发光材料,描述了量子点材料的制备方法、发光特性,以及这种材料在照明光源器件中的应用前景.文中给出了我们制备的不同粒径的CdSe量子点材料的发光特性.     

电致变色氧化钨薄膜的干法锂化研究

采用电子束加热蒸发金属Ｌｉ对ＷＯ３电致变色薄膜进行干法锂化，利用Ｘ光电子能谱和电化学方法分析不同锂化程度ＷＯ３薄膜的化学组分和电致变色性能。实验表明，当锂化ＷＯ３薄膜中Ｌｉ原子与Ｗ原子的数目比在０．１５左右时有良好的可逆性和着色效率。利用该方法制备了性能良好的单片式导Ｌｉ＋全固态电致变色薄膜器件Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／ＷＯ３·Ｌｉ／ＬｉＦ·ＡｌＦ３／Ｖ２Ｏ５／Ａｌ。     

铁氧体法处理含汞废水的实验研究

一、引言应用锂汞齐分离同位素锂-6的工艺流程中大量排出含汞废水;汞或汞的化合物用作电极、触媒剂、试剂等化工工艺中也都会产生含汞废水。含汞废水对环境的污染危害十分严重,特别是自五十年代初日本出现“水俣病”以后,含汞废水的处理引起人们广泛的重视。铁氧体法处理含汞(或含Cd~(2 ),Cr~(6 ),Pb~(2 ),Ni~(2 ),Fe~(3 ),Cu~(2 )等重金属离子)废水     

大功率LED的光衰机制研究

为了研究大功率LED的光衰机制,选用了一系列的大功率白光、蓝光发光二极管分别进行恒流点亮,在点亮不同时间阶段测量其光通量、发光谱及伏安特性.发现在光衰过程中,光通量有时会上升;通过LED光谱测定,发现光谱分布有明显变化;同时,pn结内阻也逐渐变大.研究表明大功率LED光衰有较为复杂的过程:其中荧光粉老化及pn结性能退化是最主要的.文章对此进行了初步的分析,为白光LED的应用及进一步研究白光LED衰减提供了参考.     

基于ABAQUS的钛合金高速切削有限元模拟

基于有限元分析软件ABAQUS建立了高速切削Ti6Al4V的二维正交切削有限元模型,仿真研究了高速切削加工时切削速度、切削深度对切削力大小、切削力波动频率以及锯齿形切屑形态的影响。结果表明:平均切削力在90m/min~360m/min的切削速度范围内趋于平稳,随着切削深度的增大而增大;切削力波动频率随切削深度的增加而减小,随切削速度的增大而增大;切屑锯齿化程度及锯齿化步距都随切削速度及切削深度的增大而增大。     

不同壳层的CdS／ZnS核／壳结构量子点的温度相关荧光性质

报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR）,我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品,包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外,随着壳层的增加（增至两到三层）,荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量,发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。