首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
文章检索
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
检索词:
出版年份:
从
到
被引次数:
从
到
他引次数:
从
到
提示:输入*表示无穷大
全文获取类型
收费全文
2篇
免费
0篇
国内免费
3篇
专业分类
无线电
5篇
出版年
2003年
3篇
2000年
2篇
排序方式:
出版年(降序)
出版年(升序)
被引次数(降序)
被引次数(升序)
更新时间(降序)
更新时间(升序)
杂志中文名(升序)
杂志中文名(降序)
杂志英文名(升序)
杂志英文名(降序)
作者中文名(升序)
作者中文名(降序)
作者英文名(升序)
作者英文名(降序)
相关性
共有5条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
注入光器件工作原理的模拟与分析
杜树成
席丽霞
《半导体光电》
2000,21(6):435-438
通过数值求解双极半导体器件的基本方程,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动,得到器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件工作原理。
相似文献
2.
带保护环结构的条形X光阵列探测器
盛丽艳
韩德俊
张秀荣
田晓娜
王传敏
杜树成
谢凡
王光甫
《半导体学报》
2003,24(2):198-202
研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA.
相似文献
3.
带保护环结构的条形X光阵列探测器
盛丽艳
韩德俊
张秀荣
田晓娜
王传敏
杜树成
谢凡
王光甫
《半导体学报》
2003,24(2)
研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA.
相似文献
4.
带保护环结构的条形X光阵列探测器
总被引:2,自引:1,他引:1
盛丽艳
韩德俊
张秀荣
田晓娜
王传敏
杜树成
谢凡
王光甫
《半导体学报》
2003,24(2):198-202
研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
相似文献
5.
注入光敏器件工作原理的模拟与分析
杜树成
席丽霞
《半导体光电》
2000,21(6)
通过数值求解双极半导体器件的基本方程,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
相似文献
1
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号