磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.     

BOPP薄膜关键性能介绍及功能化发展概述

主要介绍了近来关于BOPP薄膜的热收缩性能、光学性能、热封性能和抗静电性能的研究,简述了目前BOPP的功能化发展成果及今后的发展目标。     

高阻隔性包装材料发展综述

本文主要介绍了近年来主流的高阻隔性包装材料及其主要应用领域和发展现状,并对未来高阻隔性包装材料的发展趋势进行了分析与展望。     

不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.     

升华法生长AlN体单晶初探

研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.     

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.     

化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制

借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.     

用于评价通信网节点重要性的多参数优化算法

为更有效地评价通信网节点间的重要性,以节点删除算法为基础,提出一种多参数优化算法.定义节点重要性参数,通过比较该参数的大小评价节点重要性,进而反映删除节点后对整个通信网的影响程度.实验结果表明,相比于节点删除算法,多参数优化算法对各节点重要性的评估更为精确.     

AlN原料的钨网炉高温提纯

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。     

飞机无线电罗盘数字化设计与抗干扰研究

飞机无线电罗盘是飞机上装载的一项十分重要的装备和技术,是对飞机进行定位和导航的主要设备,因此加强无线电罗盘的抗干扰能力研究,有助于加强对高空交通秩序的维护;同时,加快飞机无线电罗盘数字化设计能有给飞机驾驶提高一个简约的平台,为罗盘主机接收和发射信号一共巨大的便利。本文主要从飞机无线电罗盘数字化模拟设计和抗干扰性能两个方面进行分析研究,寻找两个方面的具体共通性,为加快飞机无线电罗盘数字化建设提供巨大的动力。