GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

微电子技术新领域

（二）纳米电子技术１引言世界微电子技术的发展趋势表明，９０年代是亚微米、深亚微米生产技术蓬勃发展的时代。预计到２１世纪２０年代，硅加工技术将达到极限，进入纳米技术的新时代。在纳米尺寸（０．１～１００ｎｍ）空间内，原来的晶体管理论已不再适用；原来概念上...     

亚微米栅GaAs MESFET物理特性研究

本文基于对过冲效应的分析、计算,说明了亚微米栅GaAs MESFET的特性。建立了简明的考虑了过冲的漂移速度模型,并结合求解泊松方程、电流连续性方程进行了器件的二维计算机模拟。得到的结果与实际接近。     

AlN/GaAs界面的AES和XPS研究

在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键,没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明,ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素在ＡｌＮ淀积过程中从ＧａＡｓ表面转移到ＡｌＮ膜中．这与通过ＰＥＣＶＤ方法淀积ＡｌＮ薄膜形成的ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面完全不同．由于ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素是与Ａｌ结合的,因此有较好的界面特性．这是直流磁控反应溅射方法制备的ＡｌＮ薄膜适用于ＧａＡｓ器件钝化的主要原因     

微电子技术新领域

（三）超导和分子电子技术１超导电子技术超导电子技术是采用超导材料而出现的一类新的电子器件及其应用的总称。早在１９１１年，人类就发现了超导电性，此后虽然经过７０多年的研究和开发，但是超导材料的超导转变温度始终停留在液氦温区，这给超导器件的推广应用带来了...     

12GHz 1.5dB低噪声GaAs MESFET

本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,相关增益7.5dB.     

1～18GHz GaAs微波单片集成电调衰减器

<正> 目前用于微波控制电路的半导体器件主要是PIN管,然而,随着微波器件和微波技术的改进,微波部件不仅应有较宽的频率特性,同时还需具有体积小、重量轻、成本低的特点。近几年来,随着GaAs MESFET性能的不断提高、成本明显降低,使MESFET在微波控制电路方面具有令人振奋的应用前景,且已取得了许多可喜的成果。同样,在属于微波控制电路的衰减器方面,现已研究出GaAs MESFET数字控制和模拟控制单片微波衰减器。 MESFET用于衰减工作模型时,与放大、振荡,变频等场合不同,器件的源-漏之间并无直流偏压,而是作为微波信号的通道,器件仅以改变栅偏压Vg来控制器件的阻抗变化,使MESFET作为电调可变电阻。当栅偏压Vg=0时,栅下空间电荷层薄,沟道是开通的,器件的源-漏之间呈低阻抗状态;当|Vg|大于夹断电压|Vg|时,栅下沟道已全部耗尽,构成     

C波段GaAs单片低噪声放大器

本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.     

亚微米栅MESFET中Fukui公式修正

本文根据0.4μm栅长MESFET的实验情况,参照考虑非稳定电子动力学和边缘效应后的Carnez结果,对Fukui的公式进行修正。据此计算g_m,C_(gs)的结果与实验结果、Carnez结果很一致。用修正后的F_0公式计算所得器件最小噪声系数和实验结果也符合。