基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器

结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射.     

西门子840D伺服参数优化技术研究

在深入研究西门子840D控制系统结构与控制原理的基础上,结合机床运动学和自动控制理论,总结出一套西门子840D伺服参数优化方法,并重点介绍了在伺服参数优化过程中常见问题及解决方案。针对伺服参数优化技术,在西门子840D数控系统试验台和数控机床上进行试验,效果良好。     

阵列波导光栅复用/解复用器研究进展

综述了阵列波导光栅(AWG)复用/解复用器的最新研究进展,并对该种器件的前景进行了展望.     

808 nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器

设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性.     

光分组交换网络中的竞争解决策略

在光分组交换网络中,如果同一时刻有两个以上的分组要以同一波长从同一输出端口离开光交换机就会产生竞争,如何解决光分组竞争将会对光分组交换网络的性能产生巨大影响.通常,解决光分组竞争的方法有光缓存、波长变换和偏射路由等三种.文章详细阐述了这三种竞争解决方法的原理、实现方式及特点.     

半导体激光器组件封装中光纤的固定方法

激光器件组件封装中发光设备与光纤之间的耦合要达到微米级甚至亚微米级精度,光纤的固定技术成为光电子封装中的关键.综述了激光器件组件封装中光纤的各种固定方法,其中包括激光熔焊、环氧树脂粘接、钎焊、机械固定以及电铸等,并对各种方法的优缺点进行了评价.     

Si/InP键合界面的研究

应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理.I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应该存在最佳值.     

n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火

实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小.通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al 电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法.     

半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系

半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。它的确立、研究与发展 ,不仅对现代电子信息科技 ,而且对低维体系物理、新型材料科学和纳米科学技术的发展都产生了革命性的影响。今天 ,在崭新的 2 1世纪来临之际 ,通过重温它的发展历程和总结它的发展规律 ,无论对当代基础科学研究 ,还是对现代高新技术的发展 ,都具有重要的指导意义和宝贵的借鉴价值。     

一种主轴松刀卸荷机构在卧式加工中心上的应用

针对国内大多数加工中心主轴松刀机构都是将松刀力沿轴向作用在主轴轴承上的情况,设计了一种主轴松刀卸荷机构。该机构能有效改善主轴轴承的受力情况,从而延长了主轴轴承的使用寿命,保证了机床的加工精度。