La0.67Pb0.33MnO3外延膜的自旋玻璃态及输运特性

利用射频磁控溅射法在单晶LaAlO3（100）衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜。用X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果表明，薄膜为赝立方钙钛矿结构，晶胞参数为α=3，861nm，具有良好的单晶外延结构。居里温度Tc（=335K）非常接近金属绝缘体转变温度TMI（=340K）。在居里温度附近，发生铁磁．顺磁转变，导电特性由金属特征向半导体特征过渡。此材料呈现出的一种典型自旋玻璃特性是由应力造成的。磁电阻在居里点达到极大值，当H=1．0T时，磁电阻的极大值为24.3％，输运性质表明，T〈TMI时，电阻率满足公式ρ（T）=ρ0＋ρ1T^2＋ρ2T^4.5，此输运机制是由电子造成的：当T〉TMI时，符合小极化子模型，输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的。     

La_(0.875)Na_(0.125)MnO_3外延膜的制备及CMR效应

通过射频磁控溅射法在单晶LaAlO3（100）衬底上成功地外延生长了膜厚为90．8nm的La0．875Na0．125MnO3薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,具有良好的（100）外延取向和光滑表面。居里温度Tc=275K。在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的。薄膜的电阻率随温度变化的P-T曲线出现双峰。高温电阻峰砟。出现在居里温度附近,来源于铁磁金属体向顺磁绝缘体的转变。而低温电阻峰Tp2出现在T=178K,是由于相分离引起的。在4T强磁场下,相分离现象消失。另外,薄膜的磁电阻曲线也呈现出双峰特征。     

(La,Pr)2/3Sr1/3MnO3薄膜激光诱导电阻效应

研究了钙钛矿锰氧化物La2/3Sr1/3MnO3和Pr2/3Sr1/3MnO3单晶薄膜的激光诱导电阻变化特性.低温铁磁金属相,激光诱导使薄膜的电阻增大,而在顺磁绝缘相则电阻减小,同时薄膜的绝缘体-金属相变(IMT)转变温度Tp向低温方向移动.对于Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜,当激光功率为22mW时,光致电阻相对变化的最大值约为9.6%.光诱导效应致使薄膜的电阻发生变化,并使其IMT的转变温度点向低温方向移动,主要是由于光子能激发eg向下电子的跃迁,改变体系自旋极化方向.     

老电厂加装脱硝装置探讨

介绍了老火力电厂加装脱硝装置的工艺流程,并对一些主要设备的布置要求及改造方式作了说明.老火力发电厂加装脱硝装置是必然趋势,会像烟气脱硫一样得到广泛推广.     

钙钛矿型锰氧化物相分离研究进展

相分离作为一种物理现象,在钙钛矿结构锰氧化物中普遍存在,成为近年来此领域重要的研究课题之一.介绍了相分离的发展历史、分类,总结了相分离在钙钛矿结构锰氧化物中的实验和理论研究进展,并给出了该领域的发展趋势.     

La0.75Na0.25MnO3外延膜的制备及磁电特性

通过射频磁控溅射在单晶LaAlO3(100)衬底上生长了膜厚为120nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜.通过X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征.结果表明,薄膜为(100)取向外延膜.居里温度Tc=270K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变.此材料呈现出典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的.在室温附近,此材料在1T磁场下,其磁电阻极大值为40.3%.80K≤T≤210K时,其输运机制为电子-电子散射,电阻率满足ρ=ρ0 ρ1T2 ρ2T5;220K≤TMI时,其输运机制满足相分离渗流模型;T>TMI时,其输运机制满足小极化子模型.     

层状钙钛矿LaSr2Mn2-xCuxO7的结构、磁性及电特性

利用固相反应烧结法制备了层状钙钛矿锰氧化物LaSr2Mn2-xCuxO7多晶样品.通过X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其结构和磁性、电特性进行了研究.结果表明,样品均为Sr3Ti2O7型单相多晶,属四方晶系,空间群为I4/mmm.10%Cu的替代,破坏了LaSr2Mn2O7的电荷有序态,从而呈现出一种典型的自旋玻璃特性,在T=225K发生自旋冻结.电性测量表明,Cu的替代,破坏了LaSr2Mn2O7的导电特性,使此材料在整个观察的温区呈现绝缘体特性,进一步影响了其输运性性.     

Nd0．67Pb0．33MnO3薄膜的磁性及输运特性

通过射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的生长了Nd0.67Pb0.33MnO3薄膜.用X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其结构及磁电特性进行了研究.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.846nm.居里温度为158K.在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变,导电特性由金属特征向半导体特征过渡.此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的.磁电阻在居里点附近达到极大值,当H=1.0T时,磁电阻的极大值为28.5%.输运性质表明,T＜TMI时,电阻率满足公式:ρ(T)=ρ0 ρ1T2 ρ2T5此输运机制是由电子散射造成的;当T＞TMI时,符合小极化子模型,输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的.     

衬底温度对Zn0.85 Mg0.13 Al0.020薄膜结构和发光特性的影响

采用射频磁控溅射方法,在Si(111)基片上制备出Zn0.85Mg0.13Al0.02O薄膜。X射线衍射(XRD)证实Zn0.85Mg0.13Al0.02O薄膜为单相六角钎锌矿结构,衬底温度从室温升高到500℃,薄膜沿c轴择优生长。原子力显微镜(AFM)测量显示薄膜表面粗糙度随衬底温度的升高由9.32nm增加到19.94nm。荧光光谱仪(PL)测量显示薄膜在397nm附近有强的紫光发射,在486nm处有弱的蓝光峰,随衬底温度的升高紫峰强度提高15倍。在可见光范围内,薄膜平均透过率随衬底温度的升高由75%增加到95%,薄膜光学带隙分别为3.18,3.18和3.19eV。分析表明紫峰来自于自由激子复合,蓝峰由俘获在施主能级Zn填隙中的电子与俘获在受主能级Zn空位中的空穴复合而产生发光。     

ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.