Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜外场诱导自旋输运特性

采用脉冲激光沉积法制备了稀土掺杂钙钛矿锰氧化物Pr2/3Sr1/3MnO3(PSMO)外延薄膜,研究了薄膜在磁场、激光和电流作用下的自旋输运特性.在低温铁磁金属相,激光作用使薄膜的电阻增大,而磁场和电流则诱导电阻减小;在高温顺磁绝缘态,外场诱导均使电阻减小.在铁磁金属相,外场诱导输运特性的变化可归结于外场对体系电子自旋系统的影响:磁场和电流加强材料中eg电子和t2g局域电子间的自旋平行,增强了双交换作用;激光作用可产生光致退磁效应,减弱双交换作用.在顺磁绝缘态,场致电阻降低源于外场致使小极化子的退局域化效应.     

Dy掺杂La2／3Ca1/3MnO3锰氧化物制备及低磁场下电输运性质

用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La1-xDyx）2/3Ca1／3MnO3多晶纳米晶体,粒度在100nm左右。对系列样品电输运性质的研究表明,（La1-xDyx）2/3Ca1／3MnO3体系的电输运行为对Dy掺杂量极为敏感。随着Dy含量的增加,样品的转变温度向低温方向移动,峰值电阻显著变大;随着磁场的增加,其转变温度向高温方向略有移动;磁场增加引起的材料磁有序状态提高,使材料的磁电阻进一步变大。     

Lao.5Sro.5MnO3薄膜的输运特性和光诱导效应

用磁控溅射方法制备了La0.5Sro 5MnO3薄膜,研究了薄膜的输运特性和光诱导效应.La0.5Sr0 5MnO3薄膜具有温度相变特征:低温为铁磁金属相,高温则为顺磁非导体相,相变温度420 K.为铁磁金属相时,光诱导效应导致薄膜的电阻增大,在360 K电阻变化相对值的最大值约为9.62%.根据双交换作用模型,激光导致顺磁非导体相小极化子的浓度增加,使电阻减小.     

La 0.9 Ce 0.1 MnO 3薄膜的输运特性和光诱导效应

用脉冲激光沉积（PLD）法制备了钙钛矿锰氧化物La（0.9）Ce（0.1）MnO3（LCEMO）单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿（100）方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻（CMR）效应,相变温度（T_（MI））为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0＋R1T-2＋R2T^4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光（532nm,40mW）作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系：R（t）=R0＋Aexp（—t/r）,说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.     

La2/3Sr1/3MnO3薄膜的输运及激光反射率特性

用磁控溅射方法制备了钙钛矿锰氧化合物La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)单晶外延薄膜,该薄膜发生顺磁绝缘-铁磁金属相变的转变温度Tc≈330K.在室温(T=293K),偏置电流对LSMO薄膜输运性质的影响表明,随着电流的增大,材料的晶格畸变加强,电阻值增大,同时薄膜的激光反射率减小.用固体光学理论对其进行定性解释.     

不同厚度的La2/3Sr1/3MnO3多晶薄膜输运性质研究

运用磁控溅射的方法,在表面氧化的Si(100)基片上制备了一系列不同厚度的La2/3Sri/3MnO3多晶薄膜.根据对输运的研究,发现存在一个厚度73nm,当t＞73nm的时候,薄膜呈现出与块材类似的输运特点,而当t＜73nm的时候,薄膜的电阻太大以至于薄膜的金属-绝缘体转变温度(Tp)变得不可测量.X射线衍射(XRD)结果显示:在t=73nm附近存在一个结构的转变.这表明La2/3Sr1/3MnO3不同厚度多晶薄膜的输运性质的不同或许来自结构的转变.     

La2/3Sr1/3MnO3掺杂RE(RE=Pr、Eu、Y、Tb)的结构、红外及磁学性质

采用空气中固相反应烧结法制备了一系列钙钛矿结构的(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Pr、Eu、Y、Tb;x=0、0.3或0.4)掺杂稀土锰氧化物多晶样品.X射线衍射(XRD)分析表明随着RE离子半径的减小,样品XRD的衍射峰位置普遍向高角度偏移,2θ增大0.02～0.62°.扫描电镜(SEM)观测的结果表明掺杂RE离子的半径越小,形成多晶样品的晶粒越小,未掺杂RE的La2/3Sr1/3MnO3在所有的样品中晶粒最大.红外吸收光谱测量发现样品在599～629cm-1范围出现了吸收峰并且峰的位置随掺杂RE离子半径的减小而向低频方向偏移.样品的磁性质测量表明掺杂稀土离子的半径及磁矩对材料的磁电阻有明显影响.     

双掺杂稀土锰氧化物La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3薄膜的输运特性

采用射频磁控溅射法制备了Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3(LCSMO)薄膜。电阻率-温度特性表明,薄膜在387K时发生铁磁金属相-顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在180,230和280K温度下的伏安特性．表明所制备的薄膜具有自阻效应,并分析了产生该现象的原因。     

多铁性BaTiO3/La2/3Sr1/3MnO3复合薄膜的制备及其强磁电效应的研究

使用脉冲激光沉积技术,在(001)取向的LaAlO3(LAO)单晶基片上外延生长了BaTiO3/La2/3Sr1/3MnO3(BTO/LSMO)双层复合薄膜.电学和磁学性能的研究显示复合薄膜具有较低的相对介电常数(εr=263),优良的铁电和铁磁性能以及高于室温的铁磁居里温度(Tc=317 K).复合薄膜的磁电电压系数(αE)为176 mV/A,高于同类结构磁电系统一个数量级,相应的界面耦合系数k值为0.68,表明铁磁层和铁电层界面之间存在较大程度的耦合.     

La0.5Sr0.5MnO3-δ/Fe异质结构的瞬间光诱导特性研究

采用磁控溅射的方法在Si基片上制备了La0.5Sr0.5MnO3-δ/Fe异质结构,并对结构的输运特性进行了分析,表明该异质结构在整个测量的温度区间内呈现半导体特性.激光辐照导致样品电阻减小,并产生瞬态光电导效应,即随着激光的关闭电阻瞬间恢复到原值.分析认为该异质结的瞬态光电导效应与La0.5Sr0.5MnO3-δ层的氧缺陷有关.     

铋掺杂对SrTiO3薄膜微观结构及阻变行为的影响

采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。     

涂料型La1-xSrxMnO3智能热控涂层的研究

以固相反应法制备了高纯度La0.8Sr0.2MnO3粉体,并以其为基料,磷酸二氢铝为粘结剂,采用涂覆工艺在铝基片上制备了涂料型La0.8Sr0.2MnO3热控涂层.采用XRD、EDS对La0.8Sr0.2MnO3粉体的成分进行了表征,用稳态卡计法测量了涂层在100~100℃温度区间内热辐射率随温度的变化,并测量了涂层的太阳吸收比.研究结果表明:粉体合成过程中,经过1200℃三次热处理制备的La0.8Sr0.2MnO3粉体纯度高,合成的粉体具有均匀的微米级粒径尺寸.通过适当调整浆料中La0.8Sr0.2MnO3粉体所占质量百分比,获得辐射率变化范围大于0.3的热控涂层,该性能与采用烧结工艺制备的La0.8Sr0.2MnO3陶瓷片材料在变温条件下的辐射率变化范围接近.该涂层在航天器热控技术中具有潜在的应用前景.     

铅对(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜结构与介电可调性影响的研究

用溶胶-凝胶法制备了（Pbx，Sr1-x）0．85Bi0．1TiO3薄膜，对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究．结果表明，该薄膜以钙钛矿形式存在．快速热处理过程可分解得到高活性离子，直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量．这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势．随着Pb^2＋离子增加和Sr^2＋离子减少，钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高．薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时，可以获得较大的可调性．     

La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu4O8/La0.67Ca0.33MnO3三层膜的时间效应研究

报导了La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu4O8/La0.67Ca0.33MnO3薄膜中超导特性的时间效应.样品在空气中存放11个月后,超导转变温度都降低,而且每个系列样品的临界厚度增加.对用La0.67Ca0.33MnO3作保护层的YBa2Cu4O8薄膜进行时间效应测量,结果表明当La0.67Ca0.33MnO3层的厚度大于40nm时可以防止水对YBa2Cu4O8薄膜的影响.     

Lattice Effect on the Transport Properties in Double Doped La2/3(Ca1-xSrx)1/3MnO3 Films

1. IntroductionThe manganese oxides REMnO3 (RE=trivalent rareearth elements) have the perovskite type structure. Ifthe trivalent rare earth element is partially doped withthe divalent alkaline earth element A (A=Ca, Sr, Ba,Pb), the doped manganese oxides RE1-yAyMnO3 haveexhibited a colossal magnetoresistance (CMR) effect[1~6],where the ions at A position affect the energy band widthand the transport characters of the RE1-yAyMnO3 ma-terials. While the Mn3+/Mn4+ ratio is fixed at 2,th…     

Annealing effect on the structure and electronic transport properties in La5/8Ca3/8MnO3/ErMnO3 multilayer thin films

Ferromagnetic La5/8Ca3/8MnO3 (LCMO) and Ferroelectric ErMnO3 (EMO) multilayer thin films with sandwich structure (LCMO/EMO/LCMO) were grown on (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 (001) [LSAT (001)] substrates by pulsed laser deposition (PLD) method. For these films, the structural characterization was carried out by X-ray diffraction (XRD), and the temperature-dependence resistivity (p-T) showing the metal-insulator transition (Tp) also was measured. In the multilayer thin films the LCMO (002) peak move to lower Bragg angles after annealing at 900 degrees C for 30 hours under 1atm Oxygen pressure, and this condition is much different from the LCMO single layer films where the (002) peak moves to higher Bragg angle after annealing due to the lattice mismatch between the LCMO layer and the substrate. By increasing the thickness of LCMO, the multilayer samples show two MR peaks in a wide temperature range during the process of M-l transition. This phenomenon is attributed to a new (La5/8Ca3/8)xEr(1-x)MnO3 layer produced by the solubility between LCMO and EMO layers after high-temperature annealing. In this paper, we provide some evidence of dissolution between LCMO and EMO layers, and discuss the influence on structure and electronic transport properties in the composite thin films by annealing.