LDO稳压器电磁脉冲损伤阈值试验研究

针对低压差线性稳压器,采用接触式脉冲电流注入试验方法,研究电磁脉冲对集成半导体器件的损伤机理,并对试验数据进行统计分析.结果显示,该器件的电磁脉冲损伤阈值规律可以用Weibull分布函数较好地进行表征.     

静态随机存储器的电磁脉冲效应实验研究

实验研究了静态随机存储器(SRAM)的电磁脉冲效应,重点研究存储器容量不同、不同脉冲宽度脉冲场激励以及存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40 kV/m之间。实验结果表明,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数。     

电磁脉冲效应研究中的范数分析方法及应用

基于范数的方法表述电磁脉冲效应的敏感参数,能够以一种统一的数学表述方法来准确反应效应发生的物理原因,已经在国际上得到广泛应用。首先简要给出了1-、2-和∞范数的数学概念,然后在归纳已有研究的基础上,较为系统地在时域和频域分别推荐给出多种范数及其衍生参数,可供具体开展效应实验时参考选用。最后,通过几个最近开展的电磁脉冲效应实验示例,进一步具体说明了范数在效应敏感参数表述中的应用。     

单片机传输系统EMP损伤效应研究

搭建了一套小型单片机数据传输系统,研究了电流注入环境下系统的电磁脉冲(EMP)敏感单元、损伤阈值,结合具体的电路结构,对系统失效原因进行了分析。实验结果表明,MAX232芯片是系统的EMP敏感单元,不同批次的器件其EMP损伤阈值不同。研究结果可为系统级EMP损伤效应研究提供实验方法及数据参考。