磁记录用Co-Sn替代钡铁氧体微粉的温度特性研究

为了减小磁记录介质在运行过程中因温度变化而引起的干扰以使其具有良好的磁记录特性,对用融盐法制备的化学组成为ＢａＦｅ１２－ ２ｘＣｏｘＳｎｘＯ１９（ ｘ ＝ ０～１．４０）的Ｃｏ－Ｓｎ 替代钡铁氧体微细磁粉的磁性及其与温度的依赖关系进行了测量与分析。讨论了制备方法的不同对替代离子占位情况的影响。结果表明,作为一种高密度磁记录介质,替代量ｘ ＝ １．１０～１．４０的Ｃｏ－Ｓｎ 替代钡铁氧体磁粉不但具有合适的矫顽力Ｈｃ ,饱和磁化强度Ｍｓ 和适用的居里温度Ｔｃ ,而且在２７３～３３３Ｋ的范围内具有较低的矫顽力温度系数ΔＨｃ／ΔＴ ,并对ΔＨｃ／ΔＴ随ｘ 的变化机理做出了定性的解释     

高密度磁记录用部分晶化钡铁氧体薄膜

对于沉积态非晶薄膜,通过严格控制其块速热处理时间,从而制备出了部分晶化钡铁本薄膜,和学显微镜（ＡＦＭ）观察表明,与完全晶化的薄膜相比,部分晶化的薄膜具有更光滑的表面,振动样品磁强计（ＶＳＭ）的测量结果表明,这种薄膜具有非常低的△Ｍ值,这主要是由于磁性粒子之间存在非磁性相,使和磁性粒子之间的磁耦合减小的缘故。     

钡铁氧体薄膜的c轴取向生长

首次使用非晶Ｂａ－Ｆｅ－Ｏ衬底层来控制钡铁氧体（ＢａＭ）薄的取向芝种非晶层决定了六角Ｍ相的结晶并改善了其晶化度。应用这各非晶衬底层,制备了ｃ轴垂直于膜表平面的ＢａＭ薄膜,其（００８）峰的摇摆曲线的半高宽△θ５０仅为２．５°。     

磁记录用Co—Sn替代钡铁氧体微粒的温度特性研究

为了减小磁记录介质在运行过程中因温度变化而引起的干扰以使其具有良好的磁记录特性,对用融盐法制备的化学组成为ＢａＦｅ１２－２ｘＣＯｘＳｎｘＯ１９（ｘ＝０￣１．４０）的Ｃｏ－Ｓｎ替代钡铁氧体微细磁粉的磁性及其与温度的依赖关系进行了测量与分析。讨论制备方法的不同对替代离子占位情况的影响。结果表明,作为一种高密度磁记录介质,替代量ｘ＝１．１０￣１．４０的Ｃｏ－Ｓｎ替代钡铁氧体磁粉不但具有合适的矫顽力Ｈｃ,