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1.
提出了一种基于形式化技术的功能验证方法,对可编程逻辑模块级/子系统级进行功能验证。通过实例逻辑验证表明,依据功能验证平台,按照验证步骤对设计程序进行缺陷检查,测试用例能保证RTL代码结构和功能覆盖达到100%,并提供验证报告方便快速定位并进行缺陷修复,大大地降低了仪控系统在核电厂实际使用过程中出现问题的概率,保证核电安全级仪控系统稳定性、可靠性和安全性的要求,为仪控系统提供更充分更有力的依据。  相似文献   
2.
采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.  相似文献   
3.
因多台电动汽车充电桩并网时产生的谐波问题相较于单台要复杂得多,故建立多台电动汽车充电桩接入配电网仿真模型进行研究,分析多台充电桩与电网之间的交互影响,主要分析各次谐波电流幅值随充电桩台数增加的变化规律及考虑背景谐波后的变化规律。仿真结果表明:随着电动汽车充电桩台数的增加,单台充电桩输出的各次谐波电流幅值呈减小的趋势,接入点各次谐波电流幅值呈增加的趋势;背景谐波电压的存在使得电动汽车充电桩各次谐波发生更严重的畸变。最后通过仿真数据与实测数据的对比,验证了结论的正确性。  相似文献   
4.
某企业使用API-5DP石油钻杆在陆地进行勘探时发生断裂。对断裂部位进行化学成分分析得到断裂部位不是出现在焊接位置,而是在公接头段离焊缝断裂口约100 cm的距离。靠近断裂口的位置硬度高,为马氏体组织结构,而管体硬度较低,为索氏体金相显微结构。通过扫描电镜观察管体和断裂口,发现管体表面有许多划痕,断裂口纵向裂纹也很多,有些划痕与裂纹是连成一体的。经分析可能操作钻杆过程中遇到硬质点在杆表面刻画出许多划痕,当达到一定时间和外力作用下划痕不断往轴向延伸,最终导致钻杆断裂。  相似文献   
5.
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.  相似文献   
6.
对纯聚酰亚胺薄膜Dupont 100HN、杂化聚酰亚胺薄膜Dupont 100CR、纯诺梅克斯纤维纸Dupont Nomex T410、杂化诺梅克斯纤维纸Dupont Nomex T418、聚酰亚胺薄膜Dupont150FN019(由纯聚酰亚胺薄膜100HN和铁氟龙构成分层结构的薄膜)及聚酰亚胺薄膜150FCR019(由杂化聚酰亚胺薄膜100CR和铁氟龙构成分层结构的薄膜)在液氮下进行直流击穿测试,并对非杂化薄膜和杂化薄膜的直流击穿性能进行比较。结果显示杂化薄膜直流击穿场强高于非杂化薄膜材料,并对非杂化薄膜和杂化薄膜击穿的差异性进行了分析。  相似文献   
7.
采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.  相似文献   
8.
对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.  相似文献   
9.
利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.  相似文献   
10.
以Al2O3为衬底利用多能态离子注入法在离子注入设备上制备了一系列具有室温铁磁性的Al2O3:Mn样品.在Al2O3的X射线衍射峰附近发现新的衍射峰,该衍射峰既可能对应一种未知新相,也可能对应Al2O3:Mn固溶体.所有样品都具有磁滞现象和室温铁磁性.  相似文献   
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