水性粘结剂对纳米SnO2电化学性能的影响

采用溶胶.凝胶法制备了纳米SnO2粉末,研究了水性粘结剂对SnO2电化学性能的影响.使用6%的水性粘结荆LAl33,SnO2的首次可逆比容量为621 mAh/g,约比使用PVDF时大2倍.改变LAl33的含量、电流密度和电压范围,能提高SnO2的循环性能.当LAl33的含量为10%时,15次循环后,SnO2的平均容量保持率为67.7%;降低上限截止电压有助于提高SnO2的循环性能,当电压范围为0～0.8 V时,20次循环后的容量保持率高达99.7%.     

基于MSP430单片机的12节锂电池管理系统

设计了一种以MSP430单片机和LTC 6802芯片为核心的锂电池管理系统。实现对12节锂离子单体电池电压的检测及显示,对电池组充放电进行监控和保护,实现电池组的SOC估算和充放电均衡,利用CAN总线对其进行通讯设计。     

纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术

纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

化学气相催化法生长碳纳米管及其器件的原位制备

本系统地讨论了化学气相催化法制备碳纳米管的工艺过程。讨论了化学气相催化法原位制备碳纳米管器件的技术，即先制备电极和催化剂结构，然后在电极上原位生长碳纳米管。与目前通常采用的先制备碳纳米管，然后超声分离、沉积，再光刻、蒸发制备电极的方法相比，该方法可以减少后处理工艺对碳纳米管结构带来的损伤，具有潜在的优势。     

纳米线、纳米管器件在逻辑电路中的应用

本文报导了几种以碳纳米管和半导体纳米线为基础的电子器件和逻辑电路，如：碳纳米管场效应管、纳米线逻辑门电路等。同时，通过比较传统半导体器件和纳米器件，分析了这些纳米器件的特点。在室温下，这几种纳米电子器件和电路均有良好的电学特性。     

基于花状ZnO-CHIT复合材料的安培型过氧化氢生物传感器

将水热法制备的纳米花状结构ZaO分散在壳聚糖中构成ZnO-壳聚糖复合膜来固定辣根过氧化物酶(HRP)构建安培型过氧化氢生物传感器.结果表明,在相同过氧化氢浓度下,加入纳米颗粒的电极的电流响应值比未加颗粒的高约40倍.ZnO-壳聚糖修饰电极对过氧化氢具有明显的增敏效应,线性范围为1.0×10～5.0×10-3mol/L,关系数为0.9977;检测下限为1.0×10-7mg/L(信噪比S/N=3).     

单电子存储器

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。     

纳米电子器件中的噪声及其应用研究

对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。