6kW柴油发电机组稳态与动态过程的仿真与分析

发电机组是由内燃机和发电机构成的发电系统。出于柴油发电机组系统仿真效率和精度的需要,提出了一种基于AMESim虚拟环境的软件仿真方案。根据6k W柴油发电机组的结构形式利用各应用库中的元件建立了机组的系统仿真模型;对机组进行不同转速下的稳定输出电压和额定负载下的气缸压力仿真,并与试验数据对比证明了模型的正确性;在此基础上,对机组进行了空载起动特性和带负载特性仿真,结果表明6柴油发电机组转速瞬态调整率较小,调节时间亦较短,能够显示良好的动态特性。     

基于图像识别的火灾烟雾探测方法和实现

近些年,图像处理技术发展迅速,基于图像处理技术的火灾探测是火灾监控领域的重要方法之一。在明火发生之前,烟雾往往是火灾最重要的特征。相比传统的探测方法,基于图像处理的视频式烟雾探测能大大减少误报漏报概率。目前国内研究基本都是将图像采集完成后基于PC进行识别处理,实时性较差,利用FPGA可实现数据并行处理的特性,将视频图像处理方法应用在FPGA平台上,能很好地实现火灾探测的实时性要求。     

在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．     

CO2对碳酸钙的活化及在半干法脱硫中的应用

目的为提高CaCO2与SO2的反应活性，使基于流态化的半干法烟气脱硫过程取得更高的效率及更低的成本．方法采用CO2气体对CaCO3脱硫剂浆液进行活化，试验考察了活化时间、饱和接近度、钙硫比、脱硫剂粒径等因素对脱硫效率的影响．结果经过CO2气体活化处理后，CaCO3脱硫剂的反应活性显著提高．当活化时间为3h、钙硫比为1．2、饱和接近度为15～18K及脱硫剂粒径为64μm时，基于流态化的半干法烟气脱硫过程的效率可达92％．结论经CO2气体活化后的碳酸钙脱硫剂可取得接近于Ca（OH）2的脱硫效率．以CO2气体活化后的碳酸钙作脱硫剂，基于流态化的半干法烟气脱硫过程的效率高于相同操作条件下其他半干法的脱硫效率．因此，在半干法烟气脱硫过程中，采用CO2活化碳酸钙脱硫剂浆液，既可取得较高的脱硫效率，又能降低烟气脱硫的成本．     

浅淡南水北调工程中弃土场的选择

南水北调中线工程是一项特大型水利工程,它的建成将大大改善供水区生态环境和投资环境,推动我国中部地区的经济发展。南水北调中线工程属于明渠开挖,挖方量远远大于回填量,存在着大量的弃土需要弃土场来堆放,寻找符合工程实际需要和满足水土保持和环境保护要求的弃土场是工程能否顺利进行施工的前提和要求。也是关系到总干渠沿线城市社会经济长远发展和人民群众生产生活的重要问题。     

结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析

对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．     

惠民凹陷沙河街组四段与三段分界线的讨论

惠民凹陷传统的地层分层，一般将沙四段与沙三段的分界线放在盘河砂体与厚长页岩之间，厚长页岩中发育了后长金星介等沙四段典型的生物化石。通过惠民地区沙河街组层序地层学分析，结合沉积学特征分析、区域性层序地层对比和古地磁绝对年龄测定等研究，惠民凹陷沙四段与沙三段的分界线应放在盘河砂体沉积与沙三段油页岩段之间，且盘河砂体与沙三段油页岩之间存在一个三级层序界面，盘河砂岩和厚长页岩在沉积剖面上构成了一个完整的沉积旋回，区域上也具有良好的对比性。     

硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４e１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４e１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４e１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４e１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４e１４ｃ     

锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭．