高新技术在中药制药领域应用的分析和探讨

随着科技的不断发展,我国各个行业都在突飞猛进的发展,应用这些先进的技术,可以提高工作效率,还可以提高企业的经济效益。本文对高新技术在中药制药领域中的应用情况进行了分析与探讨,通过对比发现,应用高新技术可以有效提高中药制药的质量以及效率,还可以保证药品的安全性,为中药制药企业带来了新的发展机遇,所以,企业的管理者一定要合理应用高新技术,要根据企业发展现状,对高新技术进行改进与优化,这样才能促进企业健康发展,才能提高中药制药企业的竞争力。     

微波消解容量法快速测定玻璃中二氧化硅含量

利用微波消解技术对玻璃样品进行快速消解,并用氟硅酸钾法测定其SiO2含量.对0.1 g试样,消解剂浓HNO3和浓HF溶液加入量分别为9 mL和2 mL,消解压力分别为1.0 MPa和2.0 MPa,消解时间分别为1 min和4 min,共计5 min,远少于常规高温碱熔法分解的时间.用此法测定了2种玻璃标准物质和3种玻璃样品,测定结果分别与标准值和传统方法一致,可用于玻璃中SiO2含量的快速测定.     

用蒙特卡罗方法计算俄歇电子谱中的背散射因子

俄歇电子谱（AES）要成为样品定量分析的手段，必须考虑背散射电子与俄歇电子平均逃逸深度对俄歇电子产额的影响。本文提出一种对固体中低能电子背散射过程的简化模型，并进行蒙特卡罗计算机模拟研究，以确定背散射因子的方法，不仅可减少计算时间又能保持必要的精度，而且具有不依赖于实验测量误差的优点。以铜、银材料为实例，所得的背散射因子与文献报道相符，表明所采用的简化模型是合理的。     

工程数据库建库和数据录入技术

根据测井数据管理的实际要求,分析了测井数据类型及处理方法、测井数据格式的统一转化途径、数据的批量录入等技术;讲解了测井类勘探数据库的实际建库过程及工程数据库在石油测井行业的具体应用;涉及数据库的结构设计、数据处理、格式转换、集总和数据录入技术,对不同行业工程数据库建库和数据录入提供了有益的参考.     

薄储层测井解释的影响因素及对策

测井解释利用测井资料识别和评价具有地质意义的储层,可为油气勘探开发提供可靠的地质依据．常规测井资料由于纵向分辨率低,薄储层测井响应特征不明显,在解释时易出现解释结果偏低甚至漏解释,基于技术的发展,中原石油勘探局地球物理测井公司引进并自主研发了高分辨率测井仪。通过现场试验,并与常规测井资料对比分析,找出了影响薄储层解释的主要因素,提出了利用高分辨率测并技术提高薄储层解释精度的思路和方法,取得了很好的地质应用效果：     

国产微波消解/萃取仪在农产品安全和品质检测中的应用

国产微波化学仪器以其较高的性价比，在我国各行业的分析测试和理化检验部门发挥着重要作用。本文节选了国产微波消解，革取仪器在农产品检测领域的部分应用实例，并通过一件水产品中抗生素检测的具体应用实例，展示了在这一领域的广阔应用空间。     

结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析

对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．     

射孔深度计算的计算机处理方法

依据手工射孔深度计算原理，设计了计算机处理方法。通过对计算机处理过程和实现方法，包括数据预处理、接箍标定、深度校正、标准接箍确定和上提值计算等的介绍，以及与手工处理结果进行分析比较。可以发现，射孔深度计算的计算机处理方法切实可行。     

锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭．