直流式换热器壳侧流阻特性分析

直流式换热器是动力和化工行业关键设备之一.本文基于小型直流式换热器热工水力试验结果,拟合壳侧单组支撑板区域压损和雷诺数函数关系,并通过试验数据分析扩大到表征壳侧沿程压损;通过对比试验数据,发现修正后Rehme棒束通道模型在系统和一维分析计算中更准确;CFD仿真计算结果在试验数据误差带内,且详细准确的支撑板间速度和压力分布能为换热器安全性和热工分析等提供更准确的理论依据.     

钠冷快堆耦合超临界二氧化碳布雷顿循环中的PCHE研究进展

本文首先介绍了超临界二氧化碳（S-CO₂）布雷顿循环的特点,包括临界点的重要性、回热器“夹点”问题、冷却器冷却工质问题等。然后,针对钠冷快堆（SFR）,总结了国内外应用于SFR耦合布雷顿循环系统中的印刷电路板换热器（PCHE）的相关研究,包括在Na/CO₂换热器、回热器、冷却器中运行的重要工质——S-CO₂的流动换热性能,以及影响PCHE自身性能的流道结构优化设计。结果表明,针对具体的SFR应用,目前仍无明确结论认为哪种流道结构更为优越,需要针对具体应用场景进行相应的数值分析或实验研究。     

反应堆放射性物质沉积装置的热工分析及结构设计

依据某四代核电反应堆蒸汽发生器一回路管道的结构尺寸、运行参数及环境等,设计了一套放射性物质的沉积装置。该装置主要用于测量Cs-134、Cs-137、Sr-89、Sr-90、Ag-110m和I-131在金属表面的沉积情况,以预测其在一回路不同管段的沉积规律。采用间壁式换热器的设计理念,将管路划分为长度不同四个区段进行热工计算,并保证各区段管侧氦气的温降一致。对传热原理和热工计算方法进行了分析讨论,并对结构设计中的一些关键要素进行了阐述。     

ADP晶体{100}面族二维成核生长微观形貌的AFM研究

ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)成像表明,过饱和度σ=0.053时,晶面上出现二维成核生长;随σ增加至0.11,二维岛数量急剧增加,尺寸减小,分布渐趋均匀,二维成核生长逐渐增强,界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征;各二维岛形状趋近于长条形,表现出各向异性,长轴平行于[001]晶向;二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2～3nm的大台阶;二维岛间融合时取向相同;σ=0.053时,融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况,将可能导致产生晶体缺陷.     

水下航行体专用线缆的开发与发展

对水下航行体专用线缆(电线电缆和光纤)的开发进行了较全面的阐述，着重论述其特点，并对其发展作了展望。     

双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟

采用低雷诺数κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布。结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体;外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外,主要集中在小管内及其附近。     

有间壁时坩埚内硅熔体动量和质量输运的数值模拟

采用低雷诺数κ-ε紊流模型,模拟了直拉法坩埚内加入间壁后硅熔体的流动和氧的输运情况。分析了不同的间壁长度、间壁位置、晶体转速、坩埚转速和温度边界条件对流场和浓度场的影响。结果表明:变化间壁的长度和位置,硅熔体流动有较大的变化;间壁的长度变短,熔体-晶体界面的氧浓度增加;增加间壁与坩埚中心轴的距离,熔体-晶体界面的氧浓度降低;增加晶体转速或坩埚转速能提高熔体-晶体界面氧浓度的径向分布均匀性;增加坩埚侧壁与熔体-晶体界面的温差,流动增强,熔体-晶体界面的氧浓度增大。     

ADP晶体的生长丘、台阶微观形貌及台阶棱边能

ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)研究表明,过饱和度σ处于0.005～0.04,生长温度介于293～313K之间时,晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘,晶面主要为台阶推进方式生长;位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符;随过饱和度σ降低,台阶形貌会发生相应变化;生长温度为298K时,台阶棱边能不小于6.2×10-7J/cm2.