电池自放电异常影响因素分析

通过电感耦合等离子体光谱分析(ICP)、激光共聚焦显微镜、能量散射光谱(EDS)等方法对解剖后的电池零部件进行分析,结果表明:批号为10 Ah-2009的电池自放电的主要原因为物理自放电;物理自放电的主要原因为电池零部件内金属杂质的溶出;通过采取预化成的方式可以减少金属杂质的溶出现象,减小自放电,减少电池内部微短路的发生,进而提高搁置及循环寿命。     

铜锌铝合金自催化生长硅纳米结构的研究

在常温常压下，以Cu-Zn—Al合金为基体经过简单的化学处理，在基体上成功地合成了直径为几十纳米，长度在微米量级的Si-维纳米结构。利用TEM，HREM，EDS等测试手段对Si-维纳米结构的形貌和微观结构进行了表征。观察到Cu-Zn-Al合金中存在着运动的“非线性振荡胞区”，并且发现Si-维纳米结构的生长和形貌与这些胞区的运动有着密切的关系。另外，对于Si-维纳米结构生长机制进行了初步探讨。     

一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的制备及生长机理研究

Cu-Zn-Al合金经过简单的混合酸处理后,成功地在常温常压下制备出两种形态、组成不同的纳米管.能量衍射谱表明其主要成分是Cu,Zn,Al和Si,Al,O.其管径一般在20～50nm左右,最长长度达1600nm.研究发现,在混和酸处理后产生的分散程度很高的纳米粒子在纳米管的生长中起了重要作用,结合生长模型和透射电子显微镜照片初步分析了这种作用的机理和合金纳米管的生长机理.     

含硅一维纳米材料的研究动向

总结了近几年来国内外硅及含科化合物一维纳米材料研究的最新进展,其中包括Si、SiO2、SiC、Si3N4等一维纳水材料的制备与表征及其适用化的可能性;简述了一种新型的含硅化合物一维纳米结构材料的合成方法。简单介绍了硅及含硅化合物一维纳米结构的应用,根据当前纳米材料的发展趋势分析了制备硅及含硅化合物一维纳米材料所存在的问题以及今后的发展方向     

一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的制备

在常温常压下以Cu-Zn-Al合金为基体，用混合酸适当处理，制得了两种不同形貌、结构新颖的一维合金纳米结构。通过透射电子显微镜对它们的形貌和结构进行观察，发现其为中空圆柱结构，接近纳米管，但管壁较厚，中空程度小。根据EDX以及选区衍射确定了产物为一维Cu-Zn-Al合金纳米结构。初步分析了一维Cu-Zn-Al合金纳米结构的形成机理。     

锂离子电池电极涂布烘干温度的优化

采用拉力机、四探针仪器和电解液浸润性测试方法研究了不同烘干温度及区间分布下粘结剂PVDF粘结性的发挥程度、涂层剥离强度、电阻率及电解液浸润性能。结果表明:在设备实际使用温度范围内,PVDF粘结剂的粘结性发挥存在最佳烘干温度值,对于PVDF-X,其最佳烘干温度为150℃。影响极片剥离强度的因素,主要包括烘干阶段粘结剂的迁移和最佳粘结性的发挥。对于A1正极浆料来说,其烘干温度区间为2-2分布,温度设置为90~150℃涂布后极片粘结性能最佳。     

空间用锂离子电池储存寿命衰降机理分析

锂离子电池在存储的过程中由于界面副反应的存在,会导致活性Li的消耗和内阻的增加(界面膜增厚),引起锂离子电池可逆容量的损失。分析表明,空间用NCA/石墨高比能电池在3.5 V状态下存储1年,正极容量损失仅为1%,倍率性能没有受到影响。负极在存储过程中电解液会在其表面发生分解,使负极的接触阻抗和电荷交换阻抗增加50%左右,对电池倍率性能产生一定的影响,但可逆容量没有降低,3.5 V存储会造成电池轻微容量降低和倍率性能下降。