基于斐波那契树辨识算法的区域电网调速系统参数辨识

当前电网中单通道输送功率占比较高,电网出现大功率扰动的概率增大,频率稳定问题重新引起人们的关注。针对目前电力系统频率特性仿真准确度不足的问题,引入具有全局和局部交替寻优特点的斐波那契树优化算法,用于区域电网调速系统参数整体辨识。通过限制树的结构深度、调整全局搜索策略等调整,提高全局寻优能力和收敛速度,使算法适用于参数辨识工作,形成斐波那契树辨识算法。基于实测频率响应曲线,运用该算法对区域电网原动机及调速系统参数进行整体辨识,并进行了多算法对比分析。仿真结果表明,斐波那契树辨识算法应用于此领域具有较好的适用性与优越性。     

石龙镇:信息化的"绿色"硕果

东莞市石龙镇是广东“四大名镇”之一．1999年成为“第一个国家信息化试点城镇”。几年来，这片“弹丸之地”坚持以信息化带动工业化，以工业化促进信息化，以循环经济和生态工业理论为指导，创下了“一平方公里创工业产值十几亿元”、“一平方公里出口额1亿多美元”等令人炫目的成绩．更收获了丰硕的“绿色成果”。[编者按]     

基于嵌入式系统的ZigBee芯片的研究与应用

分析了ZigBee的特点,指出了以ARM-Linux嵌入式系统与CC2420组合作为ZigBee网络中的全功能节点的特有优势。阐述了芯片工作原理与硬件系统组成方式,并且给出了CC2420与ARM底层通信机制SPI驱动设计的方法,使得CC2420与系统间的数据交换得到保证,同时也是上层应用的基础。     

我国水泥行业能效测试的方法和作用

一、开展水泥行业能效测试的重要性 水泥行业是我国能源消耗量大的行业之一,2007年我国水泥行业共耗约2．5标煤亿吨,占我国2007年总煤耗量近13．5％。如此大的能耗,实行节能降耗提高能源使用度率意义重大,完全符合国家提倡的建设节约型社会的要求。     

热法海水淡化新兴技术研究综述

总结了近年来3种基于热法的海水淡化新兴技术研究进展,并对其进行了综合分析与比较。新兴热法技术主要包括膜蒸馏(Membrane Distillation, MD)、热膜耦合、增湿-去湿(humidification-dehumidification, HDH)。     

（23期已送排）表面式永磁同步电动机新型转矩控制

永磁同步电动机的反推控制通常采用电流作为虚拟变量,不适用于转矩需要精确跟踪的场合。本文介绍了一种以转矩和磁链为虚拟变量的反推算法,可以使永磁同步电动机输出转矩和负载转矩的差值在全局范围内快速收敛于零,并且在忽略粘滞摩擦的情况下,控制变量将不受负载的转动惯量变化的影响。该方法适用于负载转矩和转动惯量经常变化的场合,具有一定的参考价值。     

基于热管传热的盐水真空分离

将热管高效传热和高压喷雾技术应用于单级真空蒸发器,对含盐量3%的人造海水进行试验,结果表明:热管吸收40～80℃的低品位热源热量并以高热通量传递给闪蒸后的液滴,能保持甚至提高液滴蒸发过程的过热度,显著增大水分离率;冷热源温度取代初始过热度成为影响分离效果的主要因素,但要避免干壁现象;改变冷热源温度、初始过热度及流量能实现对分离率的调节。该方法对低品位热源在海水淡化工程中的有效利用、提升单位体积装置淡水产量和制取浓盐水均有重要参考价值。     

退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理．用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响．ZnO（002）面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO（102）面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小．770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2（200）衍射峰．同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强．通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2（200）衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面．     

西藏高争2000t/d生产线的检测与分析

<正>西藏高争建材股份有限公司有两条2000t/d生产线,年产水泥120万吨。这两条生产线位于西藏自治区拉萨市堆龙德庆县,海拔约3700m,是世界上海拔最高的生产线,为充分了解生产线的实际运作情况,为今后的节能增产提供科学依据,2011年9月国家建筑材料工业水泥能效环保评价检验测试中心应邀对其中一条生产线进行测试。1主机配置及测试方法该线主机配置见表1,标定期间现场生产情况稳     

刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.